DFN1006-2L ပက်ကေ့ဂျ်ရှိ အလွန်သေးငယ်သော Schottky diodes များ၊ ရှေ့သို့ဗို့အားကျဆင်းမှုနှင့် သယ်ဆောင်ရလွယ်ကူပြီး သိပ်သည်းဆမြင့်မားသော SMT ဒီဇိုင်းများအတွက် အမြန်ပြောင်းခြင်းများပါရှိသည်။
DFN1006-2L ရွက်ချောလီဒိုင်အိုဒ်များ၏ အလွန်သေးငယ်သော ဖိနပ် (1.0 × 0.6 mm)၊ နည်းပါးသော အမှုန်ဦးတည်ရာဖိအား (VF)၊ မြန်နှုန်းမြင့်ပြန်လည်ထူထောင်ရေးအချိန် (Trr ≤ 5ns) နှင့် နည်းပါးသော ထွက်စီးမှုဖြင့် အလွန်သေးငယ်သော ဒိုင်အိုဒ်များကို ပံ့ပိုးပေးသည်။ မိုဘိုင်းဖုန်းများ၊ ဝတ်ဆင်နိုင်သောပစ္စည်းများ၊ ပါဝါမော်ဂျူးများ၊ IoT ဆင်ဆာများနှင့် မြင့်မားသောကြိမ်နှုန်းပြုပြင်ရေးအတွက် အကောင်းဆုံးဖြစ်သည်။
| ထုတ်ကုန်အမည် | ထုပ်ပိုး | VBR(V) | IF(အမှတ်) | IFSM(အမှတ်) | VF(ဗိုလ်တ်) | @IF(မီလီအမှတ်) | အိုင်ရေး(μA) | vR(V) တွင် | Trr(နန်းစက္ကန့်) | အခြေအနေ |
| RB751S-40L2 | DFN1006-2L | 40 | 0.03 | 0.2 | 0.37 | 1 | 0.5 | 30 | လုပ်ဆောင်နေသည် | |
| BAS70L2 | DFN1006-2L | 70 | 0.07 | 0.1 | 1 | 15 | 0.2 | 50 | 5 | လုပ်ဆောင်နေသည် |
| BAT54L2 | DFN1006-2L | 30 | 0.2 | 0.6 | 1 | 100 | 2 | 25 | 5 | လုပ်ဆောင်နေသည် |
| RB520S-30L2 | DFN1006-2L | 30 | 0.2 | 1 | 0.6 | 200 | 1 | 10 | လုပ်ဆောင်နေသည် | |
| RB520S-40L2 | DFN1006-2L | 40 | 0.2 | 1 | 0.55 | 100 | 10 | 40 | လုပ်ဆောင်နေသည် | |
| RB521S-30L2 | DFN1006-2L | 30 | 0.2 | 1 | 0.5 | 200 | 30 | 10 | လုပ်ဆောင်နေသည် | |
| RB521S-40L2 | DFN1006-2L | 40 | 0.2 | 1 | 0.59 | 200 | 5 | 30 | လုပ်ဆောင်နေသည် | |
| PMEG3005EL | DFN1006-2L | 30 | 0.5 | 2 | 0.5 | 500 | 300 | 30 | လုပ်ဆောင်နေသည် |
EN
