ဗို့အားထိန်းချုပ်မှုဖြင့် လုပ်ဆောင်ခြင်း – စွမ်းအင်နည်းပါဝါ၊ အထွက်အားမြင့်သည့် စွဲချုပ်မှု

အကွာအဝေးထားသည့် ဂိတ် (Insulated Gate) သည် စောင်းထိန်းဆောင်မှု ဂိတ်စီးရီးစုံမှု သုညဖြစ်စေပါသည်နှင့် မောင်းနှင်မှုစွမ်းအင်ကို အနည်းဆုံးဖြစ်စေပါသည်။

MOSFET တွေကို ဘာက ဒီလောက်ထူးခြားစေတာလဲ။ ကောင်းပြီ၊ သူတို့မှာ gate ကို insulated လုပ်ထားတဲ့နေရာမှာ ဒီကောင်းမွန်တဲ့ feature ရှိပြီး၊ များသောအားဖြင့် silicon dioxide နဲ့ ပြုလုပ်ထားတာကြောင့် input impedance အကန့်အသတ်မရှိ ပေးစွမ်းနိုင်ပါတယ်။ gate ကို အားသွင်းပြီးတာနဲ့ ဒါမှမဟုတ် discharge လုပ်လိုက်တဲ့အခါ DC current က တကယ်တမ်း စီးဆင်းမှု မရှိတော့ပါဘူး။ ဆိုလိုတာက static gate current က အချိန်တိုင်း လည်ပတ်နေတာ သုညနီးပါးဖြစ်ပြီး၊ အရာအားလုံး ငြိမ်နေတဲ့အခါ ပါဝါကို မဖြုန်းတီးတော့ပါဘူး။ device က state တွေကို ပြောင်းတဲ့အခါမှသာ စွမ်းအင်အများစု အလုပ်လုပ်ပါတယ်၊ အခြေခံအားဖြင့် gate capacitance ကို အားသွင်းပေးပါတယ်။ ဂဏန်းတွေကို ကြည့်လိုက်ပါဦး- တစ်စုံတစ်ယောက်က 100kHz frequency မှာ 10nC gate charge ရှိတဲ့ MOSFET ကို မောင်းနှင်ချင်ရင်၊ မောင်းနှင်အားအတွက် 10mW လောက် လိုအပ်ပါတယ်။ အဲဒီ bipolar option အဟောင်းတွေနဲ့ နှိုင်းယှဉ်ရင် ဒါက ထိရောက်မှုအရ နေ့ရောညပါလိုပါပဲ။ ဒီပါဝါလိုအပ်ချက်နည်းတာကြောင့် အင်ဂျင်နီယာတွေဟာ buffer components အပိုတွေ မလိုအပ်ဘဲ microcontroller တွေနဲ့ တိုက်ရိုက်ချိတ်ဆက်နိုင်ပြီး system design ကို အလုံးစုံရိုးရှင်းစေပါတယ်။

လက်တွေ့လုပ်ဆောင်မှုအကျိုးသက်ရောက်မှု - အလုပ်ခွင်အသုံးအနေဖြင့် မော်တော်ယာဉ်ခန္ဓာအထီးကျန်ထိန်းချုပ်မှုမော်ဂျူးများတွင် MCU GPIO ဘောင်ဖော်မှုကို လျှော့ချပေးသည့် Logic-Level MOSFET များ

ယနေ့ခေတ်တွင် ကားထုပ်ပိုးမှုထိန်းချုပ်မှုမော်ဂျူလ်များအတွင်းရှိ မိုက်ခရိုကွန်ထရိုလာ GPIO ပင်များနှင့် တိုက်ရိုက်ချိတ်ဆက်ရန် ဗို့အား ၃.၃ မှ ၅ ဗို့အထိသာ လိုအပ်သည့် လော်ဂစ်အဆင့် MOSFET များကို အားလုံးပါဝင်သည့် အားမြင့်မော်တော်ကားအင်ဂျင်နီယာများက ပိုမိုများပြားလာပါသည်။ ဤနည်းလမ်းသည် ကားမီးများ၊ သေးငယ်သည့်မော်တော်များ သို့မဟုတ် ဆောလီနွိုက်ဖော်များကဲ့သို့သော အရာများကို ထိန်းချုပ်လိုသည့်အခါတိုင်း အပိုအားမြင့်မော်ဒျူလ်များ (driver ICs) ကို အသုံးပြုရန် လိုအပ်သည့် အခက်အခဲအားလုံးကို ဖယ်ရှားပေးပါသည်။ ယခုအခါ အသုံးပြုနိုင်သည့် စွမ်းရည်များကို ကြည့်ပါ- ရိုးရှင်းသည့် GPIO ပင်တစ်ခုသည် ၁၂ ဗို့အားတွင် ၂ အာမ်ပီယာအထိ ဘာသာပြောင်းမှုကို ကိုင်တွယ်နိုင်ပါသည်။ ဤစွမ်းရည်သည် အရင်က အသုံးပြုခဲ့သည့် ရီလေးများကို အသုံးပြုရန် လိုအပ်ခဲ့ပါသည်။ ထိုရီလေးများသည် အသုံးပြုမှုမရှိသည့်အချိန်တွင်ပါ ၅၀ မှ ၁၀၀ မီလီအာမ်ပီယာအထိ စွမ်းအင်ကို စုပ်ယူခဲ့ပါသည်။ GPIO ပင်များမှ စွမ်းအင်စုပ်ယူမှုသည် ၉၅ ရှိသည့် အထက်တွင် လျော့ကျသွားပါသည်။ ထို့ကြောင့် စားပါသည်။ စွမ်းအင်ချွေတာမှုသည် အကွာအဝေးကို တိုးမွှေးရန်နှင့် စွမ်းဆောင်ရည်ကို မြင့်တင်ရန်အတွက် အရေးပါသည့် အချက်များဖြစ်ပါသည်။

ပါဝါထိရောက်မှု: အလွန်နိမ့်သော Rds(on) နှင့် ပိုမိုနည်းပါးသော စီးဆင်းမှုဆိုင်ရာ ဆုံးရှုံးမှုများ

Trench နှင့် Superjunction MOSFET များဖြင့် အမြင့်ဆုံးလျှပ်စီးကြောင်း အတွက် Rds(on) ကို ၁mΩ အောက်သို့ လျှော့ချပေးခြင်းဖြင့် ဆုံးရှုံးမှုနည်းပါးသော လုပ်ဆောင်မှုကို အောင်မြင်စွာ ရရှိခဲ့ခြင်း

လတ်တလောထုတ်ပြန်ခဲ့သည့် Power Electronics Journal စာစောင် (၂၀၂၃ ခုနှစ်) တွင် ဖော်ပြထားသည့် အတိုင်း ယနေ့ခေတ် MOSFET များတွင် စွမ်းအင်ဆုံးရှုံးမှုအားလုံး၏ ၄၅% ခန့်သည် ကြေးနီလွှဲပေးမှု (conduction) တစ်ခုတည်းကြောင့်ဖြစ်သည်။ ထို့ကြောင့် စွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ရန်အတွက် အလွန်နိမ့်သော အားချင်းအဖြစ် (resistance values) ရရှိရေးသည် အလွန်အရေးကြီးပါသည်။ ထုတ်လုပ်သူများသည် အဆင့်မြင့် trench ဒီဇိုင်းများနှင့် superjunction ဖွဲ့စည်းပုံများကို အသုံးပြုခြင်းဖြင့် မှန်ကန်သော gate ပုံသဏ္ဍာန်များနှင့် ပိုမိုကောင်းမွန်သော ဆီလီကွန်ထုတ်လုပ်မှုနည်းပညာများကြောင့် Rds(on) ကို ၁ မီလီအိုင်မ် (milliohm) အောက်သို့ နှိပ်ချနိုင်ခဲ့ကြပါသည်။ ဤတိုးတက်မှုများသည် စက်ကို ဖြတ်သန်းသွားသော လျှပ်စီးကြောင်း (current) အတွင်း ဖြစ်ပေါ်လာသော I²R ဆုံးရှုံးမှုများကို လျော့နည်းစေပါသည်။ ဤသည်မှာ ဒေတာစင်တာများ၏ ပါဝါထောက်ပံ့ရေးစနစ်များကဲ့သို့သော အလေးချိန်များစွာကို ကိုင်တွယ်ရသည့် စနစ်ကြီးများတွင် အလွန်အရေးကြီးပါသည်။ ဥပမ example အနက် ၁၀၀ အာမ်ပီယာ (amps) လျှပ်စီးကြောင်းကို ပို့ဆောင်သည့် စားပါတ်တစ်ခုတွင် Rds(on) ကို ၅ မီလီအိုင်မ်မှ ၂ မီလီအိုင်မ်သို့ လျှော့ချနိုင်ခဲ့သည်ဆိုပါက အချိန်ကြာလာသည်နှင့်အမျှ စားပါတ်တစ်ခုလျှင် စွမ်းအင်သုံးစွဲမှု ၁ ကီလိုဝပ်နာရီ (kWh) လျှင် အိုင်အီးအီး (electricity) စရိတ်အဖြစ် အမေရိကန်ဒေါ်လာ ၁၈ ဒေါ်လာခန့် စုဆောင်းနိုင်ပါသည်။ ထို့အပ alongside ဘုတ်ပေါ်ရှိ အနီးကပ်ရှိသည့် အစိတ်အပိုင်းများကို ပျက်စီးစေနိုင်သည့် အပူပိုများမှုကိုလည်း လျော့နည်းစေပါသည်။

SiC MOSFET များသည် ၄၈ ဗို့အီဗီ ပါဝါစနစ်များတွင် စတေတစ်က် ပါဝါဆုံးရှုံးမှုကို ၆၀ ရှိသည့် အထက်အထိ လျော့ချပေးနိုင်သည်

စီလီကွန်ကာဘိုင်ဒ် (SiC) MOSFET များသည် ၄၈ ဗို့အီဗီ ပါဝါစနစ်များတွင် အထူးသဖြင့် စွမ်းဆောင်ရည်မြှင့်တင်မှုများကြောင့် အလွန်အသုံးများလာပါသည်။ ဤအစိတ်အပိုင်းများသည် ကျယ်ပေါင်းသော ဘန်းဂက် (wide bandgap) ကြွေလျှပ်စီးပစ္စည်းများဖြစ်သည့်အတွက် သဘောတရားအရ ပိုမိုနိမ့်ပါးသော ခုခံမှုကို ပေးစွမ်းပြီး အီလက်ထရွန်များကို ပိုမိုမြန်ဆန်စွာ ဖောက်ထွင်းဖောက်သွေးနိုင်စေပါသည်။ ထို့ကြောင့် ရှေးဟောင်း စီလီကွန်အခြေပြု အစိတ်အပိုင်းများနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက စတေတစ်က် ပါဝါဆုံးရှုံးမှုသည် ၆၀ ရှိသည့် အထက်အထိ လျော့နည်းသွားပါသည်။ အခြားသေးငယ်သော အကောင်းများထဲတွင် SiC ၏ အပူကို ကောင်းစွာ စီမံနိုင်မှုကို ဖော်ပြနိုင်ပါသည်။ အပူစွမ်းအင်ကို အလွန်ထိရောက်စွာ ပိုမိုကောင်းမွန်စွာ ပို့လွှတ်နိုင်သည့်အတွက် အင်ဂျင်နီယာများသည် အရင်ခေတ်ဒီဇိုင်းများတွင် တွေ့ရသည့် အရှိန်အဟောင်းကြီးများ (bulky heatsinks) များကို မလိုအပ်ဘဲ ပါဝါမော်ဂျူယ်များ၏ အရွယ်အစားကို သေးငယ်အောင် လျှော့ချနိုင်ပါသည်။ နယ်နိမိတ်များကို ဖောက်ထွင်းရန် ကြိုးပါးနေသည့် အားတုန်းကုမ္ပဏီများအတွက် ဤဆုံးရှုံးမှုလျော့နည်းမှုနှင့် သေးငယ်သော အရွယ်အစားတွေ့ရသည့် ပေါင်းစပ်မှုသည် အားသုံးခြင်းအကြား မော်တော်ကားများ၏ အကွာအဝေးကို ပိုမိုရှည်လျော့စေပါသည်။ ထို့အပါအဝါ အအေးစနစ်များကို ပိုမိုရှင်းလေးစေပါသည်။

အဆင့်မြင့် PWM နှင့် အမြင့်မြင့်သော ကြိမ်နှုန်းပါဝါပေးပို့မှုအတွက် မြန်နှုန်းမြင့် စွမ်းရည်ရှိသော ချိတ်ဆက်မှု

နနိုစကင်ဒ် စွပ်စွပ်မှုသည် ထိရောက်မှုကို မပေါ့ပေါ့ဆဆဖြစ်စေဘဲ DC-DC ပြောင်းလဲမှုများကို ၁MHz အထက်တွင် ခွင့်ပြုပေးပါသည်

ခေတ်သစ် MOSFET နည်းပညာဟာ ၁၅ နာနိုစက္ကန့်အတွင်းမှာ အခြေအနေတွေကြားမှာ ပြောင်းနိုင်ပြီး ဒါက DC-DC ပြောင်းလဲစက်တွေကို ၁ MHz ကျော် ကြိမ်နှုန်းတွေမှာ စိတ်ချရစွာ လည်ပတ်ခွင့်ပေးပါတယ်။ ပိုမြန်တဲ့ ချိတ်ဆက်မှုက ဝန်ထုပ်တွေ ပြောင်းလဲနေတုန်းတောင်မှ ၉၅% ကျော်ထိ ထိရောက်မှုကို ထိန်းထားရင်း ဒီအကြီးစား capacitors နဲ့ inductors တွေကို တစ်ဝက်ကနေ သုံးပုံနှစ်ပုံလောက် ပိုသေးအောင် လုပ်နိုင်တာပါ။ အဆင့်မြင့် ဂိုဒေါင် တည်ဆောက်မှုတွေနဲ့ ပိုသစ်တဲ့ ဒီဇိုင်းတွေက ဂိတ်အားကို ၁၀ နာနိုကိုလမ်အောက်အထိ လျှော့ချပေးပြီး အရာတွေ မြန်လွန်းတဲ့အခါ အန္တရာယ်ရှိတဲ့ ဖြစ်ရပ်တွေကို ရှောင်ရှားဖို့ ကူညီပေးတယ်။ GaN MOSFET တွေကို သာဓကကောင်းအဖြစ် ယူကြည့်ပါ၊ Power Electronics Europe ရဲ့ မနှစ်က ထုတ်ပြန်ချက်အရ မြင့်မားတဲ့ ကြိမ်နှုန်း ဆာဗာ စွမ်းအင် ထောက်ပံ့မှုတွေမှာ အစဉ်အလာ ဆီလီကွန် အစိတ်အပိုင်းတွေနဲ့ ယှဉ်ရင် ချိတ်ဆက်မှု ဆုံးရှုံးမှုတွေကို ၄၀ ရာခိုင်နှုန်းလောက် လျှော့ချပေးပါတယ်။ input နဲ့ output capacitance တန်ဖိုးတွေ ပိုနိမ့်လာရင် voltage overshoot ပြဿနာတွေလည်း နည်းလာပါတယ်။ ဒီဇိုင်နာတွေဟာ မဂ္ဂနက်ပိုင်း အစိတ်အပိုင်းတွေကို အပူလွန်ကဲမှု ပြဿနာတွေအကြောင်း မပူပန်ပဲ ကျုံ့ဖို့ ခွင့်ပြုပါတယ်။ အရင်က တကယ်ကို ခက်ခဲတဲ့ အရာပါ။

အမြန်နှုန်းနှင့် EMI ကို ဟန်ခေါင်းညှိခြင်း – ADAS ပါဝါရေးလ်များတွင် သန့်ရှင်းသော စွဲချက်ဖွင့်ခြင်းအတွက် ဒီဇိုင်းနည်းဗျူဟာများ

အောဟတိုမောဘိုင်းလ် ADAS စနစ်များတွင် နာနိုစက္ကန်ဒ်အတွင်း ဗို့အား ၁၀၀ ဗို့အထက် ပြောင်းလဲနိုင်သည့် အလွန်မြန်သော စွဲချက်များသည် အလွန်အမင်း EMI ပြဿနာများကို ဖြစ်ပေါ်စေပါသည်။ အင်ဂျင်နီယာများသည် ဗို့အားပြောင်းလဲမှုနှုန်းကို ထိန်းချုပ်ပေးသည့် ဂိတ်ခုခံမှုများကို သေချာစွာရွေးချယ်ရန် လိုအပ်ပါသည်။ ဤခုခံမှုများသည် မလိုလားအပ်သော လှုန်ခါမှုများကို ကာကွယ်ပေးနိုင်သည့်အတွက် အလွန်အမင်း အမြန်နှုန်းကို နှေးကွေးစေခြင်းမရှိစေရန် အရေးကြီးပါသည်။ အစိတ်အပိုင်းများ ပိတ်သောအခါ ဖြစ်ပေါ်လာသည့် ဗို့အားခုန်မှုများကို ကုန်းလုပ်ရန်အတွက် စနပ်ဘာ စားကပ်များ (snubber circuits) ကို အသုံးပြုနေကြပါသည်။ ထို့အပြင် ကာကွယ်မှုအဖွဲ့အစည်းအတွင်း ဝိုင်ယာများကို တွေ့ဆုံစုပုံချုပ်ထားခြင်းဖြင့် အလွန်အမင်း အသံလွှင့်မှုပြဿနာများကို လျော့နည်းစေပါသည်။ အခုအခါ အသုံးပြုနေသည့် ပြောင်းလဲမှုအကူအညီပေးသည့် မြှောက်စုပ်မှုနည်းပညာ (spread spectrum modulation) သည် CISPR စံနှုန်းများအရ အနက် ၁၂ မှ ၁၅ ဒီစီဘယ်အထိ အမြင်အားဖြင့် EMI အမြင့်ဆုံးတန်ဖိုးများကို လျော့နည်းစေပါသည်။ ဤအချက်သည် အလွန်အရေးကြီးပါသည်။ အဘယ်ကြောင့်ဆိုသော် လုံခြုံရေးအတွက် မှန်ကန်သည့် ဖတ်ရှုမှုများပေါ်တွင် မှီခိုနေရသည့် အရေးကြီးသည့် မောင်းနှင်မှုအခြေအနေများတွင် LiDAR အချက်အလက်များကို ရှင်းလင်းစေရန် ၄၈ ဗို့အားစနစ်များတွင် အသံအိုး ၃၀ မီလီဗို့အောက်သို့ အသံညစ်ညမ်းမှုကို ထိန်းသိမ်းရန် အလွန်အရေးကြီးပါသည်။

စွမ်းအားထိန်းချုပ်မှုပတ်ဝန်းကျင်များတွင် ခိုင်မာမှုနှင့် ယုံကြည်စိတ်ချရမှု

ချဲ့ထွင်နိုင်သော ဗို့အားအဆင့်များ (၂၀ဗို့မှ ၁.၇ကီလိုဗို့) နှင့် ၁၂ဗို့မှ ၈၀၀ဗို့အထ do စနစ်အင်ဂျင်နီယာပညာအတွက် SOA အကောင်အထောက်အကူပေးခြင်း

MOSFET နည်းပညာသည် အခြေခံဆီလော်ဂစ်အဆင့် ကွမ်းစ်များအတွက် ၂၀ โวล့တ်ခန့်မှ စတင်၍ အလုပ်အကိုင်ကြီးများတွင် အသုံးပြုသည့် ၁၇၀၀ โวล့တ်အထိ အားကောင်းသော ဗို့အားအကွာအဝေးကို ဖုံးလွှမ်းပေးပါသည်။ ဤအစိတ်အပိုင်းများသည် စံနှုန်း ၁၂ โวล့တ် ကားလျှပ်စစ်စနစ်များ၊ အချို့သော ဟိုက်ဘရစ်ယာဥ်များတွင် တွေ့ရသည့် ၄၈ โวล့တ် စနစ်များနှင့် ခေတ်မှီ လျှပ်စစ်ကားများတွင် တွေ့ရသည့် အဆင့်မြင့် ၈၀၀ โวล့တ် ပလက်ဖောင်းများအပါအဝေး စနစ်ဒီဇိုင်းအမျိုးမျိုးတွင် ကောင်းစွာအလုပ်လုပ်နိုင်ပါသည်။ လုံခြုံစိတ်ချရသော အလုပ်လုပ်နိုင်သည့် ဧရိယာ (SOA) ကို အန္တရာယ်ရှိသော အပူလွန်ကဲမှုအခြေအနေများကို ကာကွယ်ရန်နှင့် မျှော်မထားသည့် ဗို့အားတက်ခြင်းများကိုလည်း ကိုင်တွယ်ရန် ဂရုတစိုက် အင်ဂျင်နီယာပုံစံဖော်ထုတ်ထားပါသည်။ ၂၀၂၃ ခုနှစ်မှ မက်ထော်ဒ်လုပ်ငန်းအတွက် လေ့လာမှုများအရ ဤအမျိုးအစားသော ကာကွယ်မှုသည် ခက်ခဲသည့် အလုပ်လုပ်မှုအခြေအနေများတွင် ပျက်စီးမှုများကို သုံးဆယ်ရှိသည့် ရှုခ်အထက် လျော့ချပေးနိုင်ပါသည်။ ဤကိရိယာများကို အထူးတန်ဖိုးထားသည့် အကြောင်းမှာ တွေ့ကြုံရသည့် ဖိအားပေးမှုအခြေအနေများ ပြောင်းလဲလာသည့်အခါတွင် တူညီသည့် အလုပ်လုပ်မှုကို ထိန်းသိမ်းနိုင်သည့် စွမ်းရည်ဖြစ်ပါသည်။ ဤစွမ်းရည်သည် နေရောင်ခြင်းနှင့် လေစွမ်းအင် အိုင်န်ဗားတာများအတွက် အလွန်အရေးကြီးပါသည်။ အဘယ်ကြောင့်ဆိုသော် အဆိုပါ အိုင်န်ဗားတာများသည် စွမ်းအင်ထုတ်လုပ်မှုများ အမျှော်မထားသည့် ပုံစံဖြင့် အမျှော်မထားသည့် ပုံစံဖြင့် ပြောင်းလဲနေသည့်အခါတွင်လည်း စိတ်ချရသည့် ဗို့အားထိန်းသိမ်းမှုကို ထိန်းသိမ်းပေးရန် လိုအပ်ပါသည်။

အပူစီမံခန့်ခွဲမှုတွင် ဆန်းသစ်မှုများ – ကြေးနီဖလိုင်တ်ထုပ်ပေးမှုများနှင့် PCB အပူလွှဲပေးသည့် ဟိုက်လ်များဖြင့် ပေးအပ်မှုများအောက်တွင် သက်တမ်းကို တိုးမြှင့်ခြင်း

ကြေးနီဖလိုင်တ်ချိတ်ဆက်မှုများနှင့် PCB အပူလွှဲပေးသည့် ဟိုက်လ်များကို သိပ်သိပ်မှုန်းထားသည့် အပူစီမံခန့်ခွဲမှုအဖွဲ့စည်းများသည် အစိတ်အပိုင်းများကို ပေးအပ်မှုဖြင့် အလုပ်လုပ်စေသည့်အခါ အပူထုတ်လုပ်မှုကို သိသိသာသာ မြှင့်တင်ပေးပါသည်။ ဤနည်းလမ်းဖြင့် အများဆုံး ဆိုင်းဂ် (junction) အပူချိန်ကို ၄၀ ရာခိုင်နှုန်းခန့် လျော့ကျစေနိုင်ပါသည်။ ဤနည်းပညာသည် မော်တာမောင်းနှင်မှုစနစ်များနှင့် အမြင့်မှုန်းသော ပါဝါပြောင်းလဲမှုစနစ်များကဲ့သို့သော အပူစိန်ခေါ်မှုများကို ရင်ဆိုင်ရသည့် အခြေအနေများတွင် စနစ်များ၏ ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကို မှန်ကန်စွာ ထောက်ပံ့ပေးပါသည်။ ဤစနစ်များသည် အပူအများဆုံးဖြစ်ပေါ်စေသည့် အချိန်မှုန်းမှုများကို ဖန်တီးသည့် အလုပ်ဖောက်သည်များ၏ အရှိန်အဟောင်းများကို မှန်ကန်စွာ ရင်ဆိုင်ရပါသည်။ ပစ္စည်းများသည် အပူကို ပိုမိုကောင်းမောင်းစွာ လွှဲပေးနိုင်ပါက ပျက်စီးမှုများကို နောက်ကြောင်းပို့နိုင်ပါသည်။ ထို့ကြောင့် စက်မှုလုပ်ငန်းများတွင် ထုတ်လုပ်မှုလိုင်းများကို အလိုအလျောက်လုပ်ဆောင်ခြင်းနှင့် ဆာဗာများကို တပ်ဆင်ထားသည့် အရှိန်အဟောင်းများကို အသုံးပြုသည့် ဒေတာစင်တာများကဲ့သို့သော ပေါ်လ်မှုများတွင် ပျက်စီးမှုများကို လုံးဝ မဖြစ်စေရန် အရေးကြီးသည့် အခြေအနေများတွင်ပါ ဤတိုးတက်မှုများသည် မျှော်လင်းသည့် ပျက်စီးမှုများမရှိဘဲ စနစ်များ၏ စွမ်းဆောင်ရည်ကို ထိန်းသိမ်းရာတွင် အရေးပါသည့် အထောက်အကူဖြစ်ပါသည်။