MT40A1G16TD-062E:F | Micron 16Gb DDR4 SDRAM | IC Memori Berlebar Jalur Tinggi

Gambaran Produk

MT40A1G16TD-062E:F adalah DDR4 SDRAM 16Gb (16 Gigabit) daripada Micron, disusun sebagai 1G × 16 dan menyokong kadar data sehingga 2400MT/s. Direkabentuk untuk pelayan, sistem rangkaian, pengawal perindustrian, dan platform terbenam berlebar jalur tinggi, ia memberikan prestasi cemerlang, latensi rendah, dan kebolehpercayaan yang kukuh.

Dibina berdasarkan piawaian JEDEC DDR4 dan beroperasi pada voltan rendah 1.2V, ia meningkatkan kecekapan kuasa sambil mengekalkan integriti isyarat dan kelulusan yang konsisten merentasi beban kerja yang mencabar. Pakej FBGA yang padat menjadikannya sesuai untuk susunan PCB yang padat dan keperluan rekabentuk terbenam moden.

Ciri-ciri Utama

• Platform DDR4 prestasi tinggi Micron
• 16Gb (susunan 1G × 16)
• Kadar data maksimum 2400MT/s
• Voltan operasi rendah: 1.2V
• Arsitektur Kumpulan Bank untuk peningkatan keselarian
• Integriti isyarat dan prestasi lebar jalur yang sangat baik
• Kestabilan tinggi untuk beban kerja perindustrian dan pelayan gred
• Pakej FBGA padat sesuai untuk rekabentuk PCB padat

Medan aplikasi

• Pelayan pusat data
• Komputer perindustrian dan papan kawalan tertanam
• Peranti rangkaian (penghala, suis)
• Sistem pemprosesan multimedia dan paparan
• Platform pengkomputeran tepi AIoT
• Perkakas pintar dan elektronik premium
• Modul hiburan automotif (bukan gred automotif; bergantung kepada projek)

Spesifikasi Utama

Permintaan Sebutharga

Untuk meminta harga bagi MT40A1G16TD-062E:F—termasuk ketersediaan, masa penghantaran, kuantiti pesanan minimum (MOQ), butiran lot, lembaran data, atau alternatif yang disyorkan—sila hantar RFQ anda.

Menyokong bekalan segera, sumber kekurangan, penyediaan kit BOM, dan bekalan jangka panjang untuk projek.