K4RAH086VB-BCQK

sDRAM DDR5 berkelajuan tinggi, berkuasa rendah 16Gb untuk pusat data dan aplikasi pengkomputeran prestasi tinggi.

Penerangan Produk

Gambaran Produk

K4RAH086VB-BCQK adalah DDR5 SDRAM 16Gb dari Samsung Semiconductor, disusun sebagai 2G × 8 dan mematuhi piawaian JEDEC DDR5. Beroperasi pada 1.1V dan menyokong kadar data hingga 4800 Mbps, ia memberikan lebar jalur dan kecekapan tenaga yang lebih baik berbanding DDR4. Dengan PMIC terbina dalam untuk pengurusan kuasa dan ECC dalam cip bagi kebolehpercayaan data yang ditingkatkan, ia sesuai untuk pelayan, pengkomputeran AI, peralatan rangkaian, dan sistem terbenam prestasi tinggi.

Ciri-ciri Utama

Standard JEDEC-compliant DDR5 SDRAM
Menyokong kadar data hingga 4800 Mbps (DDR5-4800)
Beroperasi pada 1.1V ± 0.05V untuk kecekapan tenaga yang lebih baik
PMIC bersepadu mengurangkan kerumitan kuasa papan induk
ECC dalam cip memastikan kebolehpercayaan data yang ditingkatkan
Dua saluran 32-bit untuk lebar jalur selari yang lebih tinggi
Menyokong pengecasan automatik, kalibrasi, dan mod penutupan kuasa dalam
Pakej FBGA 96-bola yang padat memastikan integriti isyarat yang unggul

Aplikasi

Modul memori pelayan dan pusat data
Pemecut pengkomputeran AI dan pembelajaran mendalam
Peralatan rangkaian dan penghala kelajuan tinggi
Pengawal automasi industri dan terbenam
Grafik dan pengkomputeran berprestasi tinggi (HPC)

Spesifikasi Teknikal

Parameter	Nilai
Ketumpatan	16 Gb (2G × 8)
Kadar data	4800 Mbps
VDD	1.1V ± 0.05V
Pengurusan Kuasa	pMIC terbina dalam
ECC	ECC pada cip
Pakej	96-Ball FBGA
Dimensi	9 × 8 × 1.2 mm
Julat Suhu	-40°C ~ +95°C
Seni bina	8 Bank × 2 × 32-bit
Fungsi	PMIC, ECC, Penyegaran Automatik
Antara Muka	SSTL_11

Permintaan Sebutharga

Untuk maklumat stok sebenar, harga, dan penghantaran bagi K4RAH086VB-BCQK, sila sertakan Kuantiti (Qty), Tempoh Penghantaran yang Diperlukan, dan Harga Sasaran dalam RFQ. Pasukan kami akan segera memberikan kutipan terbaik serta sokongan untuk penyusunan BOM, bekalan segera, dan pengurusan inventori.