K4B1G1646I-BYMA | Cip Memori Samsung DDR3 SDRAM | Memori Berprestasi Tinggi Gred Perindustrian

Gambaran Produk

K4B1G1646I-BYMA adalah DDR3 SDRAM 1Gb daripada Samsung Semiconductor, direka untuk aplikasi berjalur lebar tinggi dan penggunaan kuasa rendah. Beroperasi pada 1.5V dengan kadar data sehingga 1600 Mbps, ia memberikan prestasi dan kebolehpercayaan yang cemerlang. Pakej FBGA 78-Ball memastikan reka bentuk padat dan ciri terma yang stabil, menjadikannya ideal untuk sistem terbenam, rangkaian, automotif, dan aplikasi perindustrian yang menuntut prestasi memori yang efisien.

Ciri-ciri Utama

• DDR3 SDRAM yang mematuhi piawaian JEDEC
• Kadar pemindahan data sehingga 1600 Mbps (DDR3-1600)
• operasi 1.5V ±0.075V untuk mengurangkan penggunaan kuasa
• DLL terbina dalam untuk penjajaran masa dan penyegerakan yang tepat
• Menyokong mod auto-refresh, self-refresh, dan mod penjimatan kuasa
• Pakej FBGA 78-Ball yang padat untuk kualiti isyarat unggul
• Julat suhu pengendalian yang luas (-40°C hingga +95°C)
• Kitaran hayat produk yang panjang, sesuai untuk persekitaran industri

Aplikasi

• Sistem kawalan industri dan papan induk terbenam
• Elektronik automotif dan sistem hiburan
• Peranti komunikasi rangkaian dan penghala
• Elektronik pengguna dan sistem paparan
• Alat perubatan dan peralatan pintar

Spesifikasi Teknikal

Permintaan Sebutharga

Untuk stok sebenar, harga, dan maklumat penghantaran K4B1G1646I-BYMA, sila sertakan Kuantiti (Qty), Masa Penghantaran yang Diperlukan, dan Harga Sasaran dalam RFQ. Pasukan kami akan memberi respons dengan segera dengan penawaran terbaik serta sokongan untuk penyusunan BOM, bekalan spot, dan pengurusan inventori.