K4A8G165WC-BCTD | Cip Memori SDRAM Samsung DDR4 8Gb ×16 | Memori gred industri kelajuan tinggi, rendah kuasa

K4A8G165WC- BCTD

Cip memori DDR4 8Gb ×16 berkelajuan tinggi untuk pelayan, rangkaian, dan aplikasi terbenam.

Penerangan Produk

Gambaran Produk

K4A8G165WC-BCTD adalah SDRAM DDR4 8Gb daripada Samsung Semiconductor, disusun sebagai 512M × 16. Beroperasi pada 1.2V dan menyokong kelajuan hingga 3200 Mbps, ia menawarkan jalur lebar yang sangat baik, penggunaan kuasa rendah, dan integriti isyarat yang kukuh. Bungkusan FBGA 96-bola yang padat menjadikannya sesuai untuk modul pelayan berketumpatan tinggi, sistem rangkaian, elektronik automotif, dan reka bentuk terbenam industri.

Ciri-ciri Utama

SDRAM DDR4 yang mematuhi JEDEC
Menyokong kadar data sehingga 3200 Mbps (DDR4-3200)
Beroperasi pada 1.2V ± 0.06V untuk kuasa rendah dan kecekapan tinggi
lebar data 16-bit untuk peningkatan jalur lebar setiap cip
DLL bersepadu untuk masa dan penyegerakan yang tepat
Penyegaran automatik, penyegaran sendiri, dan sokongan penutupan kuasa dalam
Julat suhu yang luas (-40°C hingga +95°C) untuk kegunaan peringkat industri
pakej FBGA 96-ball memastikan isyarat yang kukuh dan prestasi terma

Aplikasi

Modul memori pelayan dan pusat data
Sistem rangkaian dan komunikasi
Pengawal automasi industri dan terbenam
Unit kawalan hiburan dan AI kenderaan
Elektronik pengguna dan produk paparan premium

Spesifikasi Teknikal

Parameter	Nilai
Ketumpatan	8 Gb (512M × 16)
Kadar data	3200 Mbps
VDD	1.2V ± 0.06V
Pakej	96-Ball FBGA
Dimensi	9 × 8 × 1.2 mm
Julat Suhu	-40°C ~ +95°C
Timing	CL = 22 @ 3200 Mbps
Lebar Data	×16
Fungsi	DLL, Auto/Penyegaran Sendiri
Antara Muka	SSTL_12

Permintaan Sebutharga

Untuk maklumat stok sebenar, harga, dan tempoh masa utama bagi K4A8G165WC-BCTD, sila sertakan Kuantiti (Qty), Tempoh Masa Diperlukan, dan Harga Sasaran dalam RFQ anda. Pasukan kami akan memberi respons segera dengan kutipan terbaik serta sokongan untuk penyusunan BOM, bekalan segera, dan pengurusan inventori.