K4A4G165WG-BCWE | Cip Memori Samsung DDR4 4Gb ×16 SDRAM | Memori kelajuan tinggi, berkuasa rendah

K4A4G165WG- BCWE

Cip memori DDR4 4Gb prestasi tinggi untuk pelayan, terbenam, dan sistem kawalan industri.

Penerangan Produk

Gambaran Produk

K4A4G165WG-BCWE adalah SDRAM DDR4 4Gb daripada Samsung Semiconductor, disusun sebagai 256M × 16, memberikan kadar data sehingga 3200 Mbps setiap pin. Beroperasi pada 1.2 V, ia menawarkan kecekapan kuasa dan ketepatan masa yang sangat baik. Pakej FBGA 96-bola memastikan susunan padat, kestabilan haba, dan kebolehpercayaan jangka panjang—sesuai untuk pelayan, peralatan rangkaian, automasi industri, dan elektronik kenderaan.

Ciri-ciri Utama

Standard SDRAM DDR4 yang mematuhi JEDEC
Menyokong kadar data sehingga 3200 Mbps (DDR4-3200)
Operasi voltan rendah (1.2 V ± 0.06 V) untuk kecekapan tenaga
lebar data 16-bit untuk jalur lebar yang lebih tinggi setiap cip
DLL bersepadu untuk penyegerakan masa yang tepat
Menyokong mod auto-refresh, self-refresh, dan penjimatan kuasa
Suhu pengendalian yang luas (-40 °C hingga +95 °C) untuk kegunaan industri dan automotif
pakej FBGA 96-bola memastikan integriti isyarat yang unggul

Aplikasi

Pelayan dan sistem storan
Peralatan rangkaian dan penghalaan
sistem kawalan dan automasi industri
Unit hiburan dan kawalan elektronik automotif
Platform terbenam dan elektronik pengguna

Spesifikasi Teknikal

Parameter	Nilai
Ketumpatan	4 Gb (256M × 16)
Kadar data	3200 Mbps
VDD	1.2 V ± 0.06 V
Pakej	96-Ball FBGA
Dimensi	9 × 8 × 1.2 mm
Julat Suhu	-40 °C ~ +95 °C
Timing	CL = 22 @ 3200 Mbps
Lebar Data	×16
Fungsi	DLL, Auto/Penyegaran Sendiri
Antara Muka	SSTL_12

Permintaan Sebutharga

Untuk stok sebenar, harga, dan maklumat tempoh penghantaran bagi K4A4G165WG-BCWE, sila sertakan Kuantiti (Qty), Tempoh Penghantaran Diperlukan, dan Harga Sasaran dalam RFQ anda. Pasukan kami akan segera memberikan penawaran terbaik dengan sokongan penyusunan BOM, bekalan segera, dan pengurusan inventori.