K4A4G085WE-BCRC | Cip Memori Samsung DDR4 4Gb SDRAM | Memori Berkelajuan Tinggi, Rendah Kuasa

K4A4G085WE- BCRC

Penyelesaian memori DDR4 berkelajuan tinggi, kuasa rendah untuk aplikasi prestasi tinggi dan terbenam.

Penerangan Produk

Gambaran Produk

K4A4G085WE-BCRC adalah SDRAM DDR4 4Gb daripada Samsung Semiconductor, disusun sebagai 512M × 8, memberikan kelajuan sehingga 2400 Mbps. Beroperasi pada hanya 1.2V, ia menawarkan peningkatan lebar jalur dan penggunaan kuasa yang lebih rendah berbanding DDR3. Pakej FBGA 96-bola yang padat memastikan operasi yang stabil dan kecekapan haba, menjadikannya penyelesaian unggul untuk komputing prestasi tinggi, rangkaian, automotif, dan sistem tertanam.

Ciri-ciri Utama

Standard SDRAM DDR4 yang mematuhi JEDEC
Menyokong kadar data DDR4-2400 (2400 Mbps/pin)
Beroperasi pada voltan rendah 1.2V ±0.06V
DLL terbina dalam untuk penjajaran masa dan penyegerakan yang tepat
seni bina 8-bank untuk capaian selari yang cekap
Menyokong auto-refresh dan self-refresh
pakej FBGA 96-ball memastikan integriti isyarat
Julat suhu yang luas (-40°C hingga +95°C) untuk kegunaan peringkat industri
Serasi dengan platform CPU dan pengawal utama

Aplikasi

Platform komputing prestasi tinggi dan pelayan
Peralatan rangkaian dan penghalaan
sistem kawalan dan automasi industri
Elektronik automotif dan sistem hiburan
Papan induk terbenam dan elektronik pengguna

Spesifikasi Teknikal

Parameter	Nilai
Ketumpatan	4 Gb (512M × 8)
Kadar data	2400 Mbps
VDD	1.2V ±0.06V
Pakej	96-Ball FBGA
Dimensi	9 × 8 × 1.2 mm
Suhu Operasi	-40°C ~ +95°C
Timing	CL=17, tRCD=17, tRP=17
Fungsi	Auto/Self Refresh, DLL
Antara Muka	SSTL_12
Seni bina	8 Bank

Permintaan Sebutharga

Untuk stok masa nyata, penetapan harga, dan maklumat penghantaran bagi K4A4G085WE-BCRC, sila sertakan Kuantiti (Qty), Tempoh Penghantaran yang Diperlukan, dan Harga Sasaran dalam RFQ. Pasukan kami akan membalas dengan segera dengan penawaran terbaik serta sokongan untuk penyusunan BOM, bekalan segera, dan pengurusan inventori.