K4AAG165WA-BIWETCT | Samsung DDR4 16Gb ×16 SDRAM atminties mikroschema | Didelio greičio, mažos galios pramonės ir serverių atmintinė

Produkto apžvalga

K4AAG165WA-BIWETCT – tai aukšto našumo 16 Gb DDR4 SDRAM mikroschema nuo Samsung Semiconductor, organizuota kaip 1G × 16. Ji palaiko duomenų perdavimo greitį iki 3200 Mbps vienam kontaktui veikiant 1,2 V, derindama didelį pralaidumą su maža energijos sąnauda. Siūloma 96 kontaktų FBGA korpusu, šis įrenginys užtikrina puikią šiluminę ir signalo kokybę, todėl yra idealus serveriams, pramonės valdymui, automobilių elektronikai bei dirbtinio intelekto skaičiavimo sistemoms, reikalaujančioms ilgalaikės stabilumo ir patvarumo.

Pagrindinės savybės

• Atitinka JEDEC DDR4 SDRAM standartą
• Palaiko duomenų perdavimo greitį iki 3200 Mbps (DDR4-3200)
• Veikia žemoje 1,2 V ± 0,06 V įtampoje, užtikrindama efektyvumą
• 16 bitų duomenų plotis, užtikrinantis didelį duomenų srautą vienai mikroschemei
• Integruotas DLL tiksliai sinchronizacijai
• Palaikomas automatinis atnaujinimas, savęs atnaujinimas ir energiją taupantys režimai
• Platus darbo temperatūrų diapazonas (-40 °C iki +95 °C) pramoninės klasės aplinkoms
• Kompaktiškas 96 kontaktų FBGA korpusas su stipriais signalo ir šiluminiais parametrais

Panaudojimo būdai

• Serverių ir duomenų centrų atminties moduliai
• Tinklo ir ryšio sistemos
• Pramonės valdymas ir įterpti valdikliai
• Automobilių informbūstinės ir autonominio važiavimo sistemos
• Dirbtinio intelekto skaičiavimai ir aukštos našumo elektronika

Techninės specifikacijos

Kainos paklausimas

Norėdami gauti tikslią K4AAG165WA-BIWETCT akcijos, kainos ir pristatymo informaciją realiu laiku, prašome RFK nurodyti kiekį (Qty), reikiamą pristatymo laiką ir tikslinę kainą. Mūsų komanda nedelsiant pateiks geriausią pasiūlymą bei užtikrins pagalbą BOM rinkinių paruošime, vienetinių detalių tiekime ir atsargų valdyme.