K4A8G165WC-BCTD | Samsung DDR4 8Gb ×16 SDRAM atminties mikroschema | Didelio greičio, mažo energijos suvartojimo pramoninės klasės atmintis

Produkto apžvalga

K4A8G165WC-BCTD yra 8 Gb DDR4 SDRAM mikroschema nuo Samsung Semiconductor, organizuota kaip 512M × 16. Veikdama 1,2 V įtampa ir palaikanti duomenų perdavimo greitį iki 3200 Mbps, ji užtikrina puikų pralaidumą, mažą energijos suvartojimą bei aukštą signalo vientisumą. Dėl kompaktiškos 96 kontaktų FBGA korpuso ji puikiai tinka didelės tankio serverių moduliams, tinklo sistemoms, automobilių elektronikai bei pramoniniams įterptiesiems sprendimams.

Pagrindinės savybės

• Atitinka JEDEC standarto DDR4 SDRAM reikalavimus
• Palaiko duomenų perdavimo greitį iki 3200 Mbps (DDR4-3200)
• Veikia 1,2 V ± 0,06 V įtampa, užtikrinant mažą energijos suvartojimą ir aukštą efektyvumą
• 16 bitų duomenų plotis, padidinant atminties mikroschemos pralaidumą
• Integruotas DLL tiksliai laiko sinchronizacijai
• Palaikomas automatinis atnaujinimas, savęs atnaujinimas ir gilus maitinimo išjungimas
• Platus temperatūrų diapazonas (-40 °C iki +95 °C) pramoninės klasės naudojimui
• 96 kontaktų FBGA korpusas užtikrina patikimą signalo ir šiluminį našumą

Panaudojimo būdai

• Serverių ir duomenų centrų atminties moduliai
• Tinklo ir ryšio sistemos
• Pramoninė automatizacija ir įterptieji valdikliai
• Automobilių informacinės pramogos ir dirbtinio intelekto valdymo blokai
• Vartotojo elektronika ir aukštos kokybės vaizdo produktai

Techninės specifikacijos

Kainos paklausimas

Norėdami gauti aktualią atsargų, kainų ir pristatymo laiko informaciją dėl K4A8G165WC-BCTD, savo paklausime nurodykite kiekį (Qty), reikiamą pristatymo laiką ir tikslinę kainą. Mūsų komanda nedelsiant atsakys geriausiu pasiūlymu bei palaikymu BOM rinkiniams, vienetiniams tiekimams ir atsargų valdymui.