제품 개요
K4U8E3S4AD-MGCL0JP는 삼성반도체에서 제조한 8Gb LPDDR4X DRAM으로, 뛰어난 성능과 낮은 전력 소비를 위해 최적화되었습니다. 단 1.1V에서 작동하며 최대 4266 Mbps의 속도를 지원하여 탁월한 대역폭과 에너지 효율성을 제공합니다. 200볼 FBGA 패키지를 채택하여 열적 안정성과 소형 통합이 가능하며, 스마트폰, 태블릿, 자동차 전자장치, AI 시스템 및 임베디드 IoT 플랫폼에 이상적입니다.
주요 특징
응용 분야
기술 사양
| 매개변수 | 값 |
| 밀도 | 8 Gb (1G × 8) |
| 데이터 비율 | 4266Mbps |
| VDDQ | 1.1V ± 0.06V |
| 포장 | 200볼 FBGA |
| 치수 | 10 × 10 × 0.8mm |
| 온도 범위 | -40°C ~ +95°C |
| 건축 | 8뱅크 |
| 기능 | CA 트레이닝, 자동 리프레시 |
| 인터페이스 | LPDDR4X |
| 전력 효율성 | 딥 슬립 / 셀프 리프레시 모드 |
견적 요청
K4U8E3S4AD-MGCL0JP의 실시간 재고, 가격 및 납기 정보를 확인하려면 귀하의 수량(Qty), 요구 리드타임 및 목표 단가를 RFQ에 포함해 주세요. 당사 팀이 BOM 킷팅, 스팟 공급 및 재고 관리에 대해 최적의 견적과 지원을 신속히 제공해 드립니다.
EN
