제품 개요
K4RAH086VB-BCQK은 삼성 반도체에서 출시한 16Gb DDR5 SDRAM로, 2G × 8 구조이며 JEDEC DDR5 표준을 준수합니다. 1.1V에서 동작하며 최대 4800 Mbps의 데이터 전송 속도를 지원하여 DDR4 대비 우수한 대역폭과 에너지 효율성을 제공합니다. 전원 관리를 위한 통합 PMIC와 데이터 신뢰성을 향상시키는 다이 내장 ECC 기능을 갖추고 있어 서버, AI 컴퓨팅, 네트워크 장비 및 고급 임베디드 시스템에 이상적입니다.
주요 특징
응용 분야
기술 사양
| 매개변수 | 값 |
| 밀도 | 16Gb (2G × 8) |
| 데이터 비율 | 4800 Mbps |
| VDD | 1.1V ± 0.05V |
| 전원 관리 | 내장형 PMIC |
| ECC | 다이 내장 ECC |
| 포장 | 96볼 FBGA |
| 치수 | 9 × 8 × 1.2mm |
| 온도 범위 | -40°C ~ +95°C |
| 건축 | 8 뱅크 × 2 × 32비트 |
| 기능 | PMIC, ECC, 자동 리프레시 |
| 인터페이스 | SSTL_11 |
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