제품 개요
K4F8E304HB-MGCJ는 삼성반도체에서 제작한 8Gb LPDDR4 DRAM으로, 높은 대역폭과 초저전력 동작을 위해 설계되었습니다. JEDEC LPDDR4 표준을 준수하며, 1.1V의 동작 전압에서 최대 3733 Mbps의 속도를 지원합니다. 200볼 FBGA 패키지는 탁월한 신호 무결성과 소형 통합이 가능하게 하여 모바일 기기, 자동차 시스템, IoT 컨트롤러 및 산업용 내장 플랫폼에 이상적입니다.
주요 특징
응용 분야
기술 사양
| 매개변수 | 값 |
| 밀도 | 8 Gb (1G × 8) |
| 데이터 비율 | 3733Mbps |
| VDDQ | 1.1V ± 0.06V |
| 채널 | 2 × 16비트 |
| 포장 | 200볼 FBGA |
| 치수 | 10 × 10 × 0.8mm |
| 온도 범위 | -40°C ~ +95°C |
| 기능 | CA 트레이닝, 자동 리프레시 |
| 인터페이스 | LPDDR4 |
| 전력 효율성 | 셀프 리프레시 / 딥 슬립 |
견적 요청
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