K4A4G165WG-BCWE | Samsung DDR4 4Gb ×16 SDRAM メモリチップ | 高速・低消費電力メモリ

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K4A4G165WG- BCWE

サーバー、組み込み、および産業制御システム用の高性能4Gb DDR4メモリチップ。

製品概要

K4A4G165WG-BCWEは、Samsung Semiconductor製の4Gb DDR4 SDRAMで、256M × 16の構成であり、ピンあたり最大3200 Mbpsのデータレートを実現します。1.2Vでの動作により、優れた省電力性とタイミング精度を提供します。96ボールFBGAパッケージにより、コンパクトなレイアウト、熱的安定性、長期的な信頼性を確保しており、サーバー、ネットワーク機器、産業用オートメーション、車載電子機器に最適です。

 

主な特徴

  • JEDEC準拠DDR4 SDRAM標準
  • 最大3200 Mbps(DDR4-3200)までのデータレートをサポート
  • エネルギー効率のための低電圧動作(1.2 V ± 0.06 V)
  • チップごとの帯域幅向上のための16ビットデータ幅
  • 正確なタイミング同期のための内蔵DLL
  • オートリフレッシュ、セルフリフレッシュ、および省電力モードをサポート
  • 産業用および自動車用の広い動作温度範囲(-40 °C から +95 °C)
  • 96ボールFBGAパッケージにより優れた信号完全性を実現

 

応用

  • サーバーおよびストレージシステム
  • ネットワーキングおよびルーティング機器
  • 産業用制御および自動化システム
  • 自動車用インフォテインメントおよび電子制御ユニット
  • 組み込みプラットフォームおよび民生用電子機器

 

技術仕様

パラメータ 価値
密度 4 Gb (256M × 16)
データレート 3200 Mbps
VDD 1.2 V ± 0.06 V
パッケージ 96ボールFBGA
寸法 9 × 8 × 1.2 mm
温度範囲 -40 °C ~ +95 °C
タイミング CL = 22 @ 3200 Mbps
データ幅 ×16
機能 DLL、自動/セルフリフレッシュ
インターフェース SSTL_12

 

見積依頼

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