K4U8E3S4AD-MGCL0JP | Chip Memori Samsung LPDDR4X 8Gb | Memori Mobile dan Tertanam Berkecepatan Tinggi, Rendah Konsumsi Daya

K4U8E3S4AD- MGCL0JP

dRAM LPDDR4X berdaya rendah, kecepatan tinggi 8Gb untuk aplikasi mobile, IoT, dan tertanam.

Deskripsi Produk

Ikhtisar Produk

K4U8E3S4AD-MGCL0JP adalah DRAM LPDDR4X 8Gb dari Samsung Semiconductor, dioptimalkan untuk kinerja tinggi dan konsumsi daya rendah. Beroperasi hanya pada 1,1V serta mendukung kecepatan hingga 4266 Mbps, chip ini memberikan bandwidth luar biasa dan efisiensi energi. Dengan paket FBGA 200-bola, chip ini menjamin keandalan termal dan integrasi yang kompak, menjadikannya ideal untuk ponsel cerdas, tablet, elektronik otomotif, sistem AI, dan platform IoT tertanam.

Fitur Utama

Memenuhi standar JEDEC LPDDR4X
Kecepatan data hingga 4266 Mbps per pin
Operasi tegangan rendah: V<sub>DDQ</sub> = 1,1V ± 0,06V
arsitektur 8-bank untuk efisiensi akses paralel
Dilengkapi pelatihan CA dan optimasi latensi perintah
Mode penyegaran otomatis dan mode hemat daya mendalam untuk konsumsi daya ultra rendah
paket FBGA 200-bola untuk kinerja sinyal dan termal yang unggul
Ideal untuk desain mobile dan embedded yang ringkas

Aplikasi

Smartphone dan Tablet
Sistem infotainment dan navigasi otomotif
Otomasi industri dan pengendali IoT
Komputasi edge AI dan terminal cerdas
Perangkat wearable pintar dan elektronik konsumen

Spesifikasi Teknis

Parameter	Nilai
Kepadatan	8 Gb (1G × 8)
Tingkat data	4266 Mbps
VDDQ	1,1 V ± 0,06 V
Paket	200-Ball FBGA
Dimensi	10 × 10 × 0,8 mm
Rentang suhu	-40°C ~ +95°C
Arsitektur	8 Bank
Fungsi	Pelatihan CA, Penyegaran Otomatis
Antarmuka	LPDDR4X
Efisiensi Energi	Mode tidur mendalam / penyegaran mandiri

Permintaan penawaran harga

Untuk stok real-time, harga, dan informasi pengiriman K4U8E3S4AD-MGCL0JP, harap sertakan Jumlah (Qty), Waktu Pimpin yang Dibutuhkan, dan Harga Target dalam RFQ Anda. Tim kami akan segera memberikan penawaran terbaik serta dukungan untuk kitting BOM, pasokan spot, dan manajemen inventaris.