K4F8E304HB-MGCJ | Chip Memori Samsung LPDDR4 8Gb | Memori Mobile dan Tertanam Berkecepatan Tinggi, Rendah Konsumsi Daya

K4F8E304HB- MGCJ

dRAM LPDDR4 kecepatan tinggi, berdaya rendah 8Gb dioptimalkan untuk sistem mobile dan tertanam.

Deskripsi Produk

Ikhtisar Produk

K4F8E304HB-MGCJ adalah DRAM LPDDR4 8Gb dari Samsung Semiconductor, dirancang untuk bandwidth tinggi dan operasi ultra-hemat daya. Sesuai dengan standar JEDEC LPDDR4, chip ini mendukung kecepatan hingga 3733 Mbps pada tegangan operasi 1,1V. Kemasan FBGA 200-bola memastikan integritas sinyal yang sangat baik dan integrasi yang kompak, menjadikannya ideal untuk perangkat mobile, sistem otomotif, pengendali IoT, serta platform tertanam industri.

Fitur Utama

Standar LPDDR4 sesuai JEDEC
Laju data hingga 3733 Mbps per pin
Beroperasi pada 1,1V ± 0,06V untuk konsumsi daya ultra-rendah
Dua saluran 16-bit untuk peningkatan bandwidth
Mekanisme pelatihan CA dan kalibrasi terintegrasi
Mendukung mode self-refresh, deep power-down, dan manajemen daya
Kemasan FBGA 200-bola yang kompak untuk kinerja sinyal yang andal
Ideal untuk aplikasi memori mobile dan tertanam

Aplikasi

Smartphone dan Tablet
Sistem infotainment dan navigasi otomotif
Perangkat kontrol industri dan IoT
Unit komputasi AI dan pemrosesan edge
Elektronik wearable dan konsumen

Spesifikasi Teknis

Parameter	Nilai
Kepadatan	8 Gb (1G × 8)
Tingkat data	3733 Mbps
VDDQ	1,1 V ± 0,06 V
Saluran	2 × 16-bit
Paket	200-Ball FBGA
Dimensi	10 × 10 × 0,8 mm
Rentang suhu	-40°C ~ +95°C
Fungsi	Pelatihan CA, Penyegaran Otomatis
Antarmuka	LPDDR4
Efisiensi Energi	Self-refresh / Deep sleep

Permintaan penawaran harga

Untuk stok real-time, harga, dan informasi pengiriman K4F8E304HB-MGCJ, harap sertakan Jumlah (Qty), Waktu Pemasokan yang Dibutuhkan, dan Harga Target dalam RFQ. Tim kami akan segera memberikan penawaran terbaik serta dukungan untuk kitting BOM, pasokan spot, dan manajemen inventaris.