K4B1G1646I-BYMA | Chip Memori Samsung DDR3 SDRAM | Memori Performa Tinggi Kelas Industri

K4B1G1646I- BYMA

Solusi memori DDR3 hemat daya dan berkinerja tinggi untuk aplikasi industri dan tertanam.

Deskripsi Produk

Ikhtisar Produk

K4B1G1646I-BYMA adalah DDR3 SDRAM 1Gb dari Samsung Semiconductor, dirancang untuk aplikasi dengan bandwidth tinggi dan konsumsi daya rendah. Beroperasi pada tegangan 1,5V dengan kecepatan data hingga 1600 Mbps, chip ini memberikan kinerja dan keandalan yang sangat baik. Paket FBGA 78-Ball memastikan desain yang ringkas dan karakteristik termal yang stabil, menjadikannya ideal untuk sistem tertanam, jaringan, otomotif, dan aplikasi industri yang menuntut kinerja memori yang efisien.

Fitur Utama

DDR3 SDRAM sesuai standar JEDEC
Kecepatan transfer data hingga 1600 Mbps (DDR3-1600)
operasi 1,5V ±0,075V untuk mengurangi konsumsi daya
DLL terintegrasi untuk pengaturan waktu dan sinkronisasi yang presisi
Mendukung mode auto-refresh, self-refresh, dan power-down
Paket FBGA 78-Ball yang ringkas untuk kualitas sinyal unggul
Rentang suhu operasi lebar (-40°C hingga +95°C)
Siklus hidup produk yang panjang, cocok untuk lingkungan industri

Aplikasi

Sistem kontrol industri dan papan utama terbenam
Elektronik otomotif dan sistem infotainment
Perangkat komunikasi jaringan dan router
Elektronik konsumen dan sistem tampilan
Instrumen medis dan peralatan pintar

Spesifikasi Teknis

Parameter	Nilai
Kepadatan	1 Gb (128M × 8 / 64M × 16)
Tingkat data	1600 Mbps
VDD	1,5V ±0,075V
Paket	78-Ball FBGA
Dimensi	9 × 7,8 × 1,2 mm
Rentang suhu	-40°C ~ +95°C
Pengatur Waktu	CL=11, tRCD=11, tRP=11
Fungsi	Auto/Self Refresh, DLL
Antarmuka	SSTL_15
Aplikasi	Sistem industri, otomotif, dan tertanam

Permintaan penawaran harga

Untuk stok real-time, harga, dan informasi pengiriman K4B1G1646I-BYMA, harap sertakan Jumlah (Qty), Waktu Pimpinan yang Dibutuhkan, dan Harga Target dalam RFQ. Tim kami akan segera merespons dengan penawaran terbaik serta dukungan untuk kitting BOM, pasokan spot, dan manajemen inventaris.