K4A4G165WG-BCWE | Chip Memori Samsung DDR4 4Gb ×16 SDRAM | Memori kecepatan tinggi, hemat energi

K4A4G165WG- BCWE

Chip memori DDR4 4Gb kinerja tinggi untuk server, sistem terbenam, dan kontrol industri.

Deskripsi Produk

Ikhtisar Produk

K4A4G165WG-BCWE adalah DDR4 SDRAM 4Gb dari Samsung Semiconductor, disusun sebagai 256M × 16, mampu memberikan laju data hingga 3200 Mbps per pin. Beroperasi pada tegangan 1.2 V, menawarkan efisiensi daya dan ketepatan timing yang sangat baik. Kemasan FBGA 96-bola memastikan tata letak yang ringkas, stabilitas termal, serta keandalan jangka panjang—ideal untuk server, peralatan jaringan, otomasi industri, dan elektronik otomotif.

Fitur Utama

Standar DDR4 SDRAM sesuai JEDEC
Mendukung laju data hingga 3200 Mbps (DDR4-3200)
Operasi tegangan rendah (1,2 V ± 0,06 V) untuk efisiensi energi
lebar data 16-bit untuk bandwidth lebih tinggi per chip
DLL terintegrasi untuk sinkronisasi timing yang presisi
Mendukung mode auto-refresh, self-refresh, dan penghematan daya
Suhu operasi lebar (-40 °C hingga +95 °C) untuk penggunaan industri dan otomotif
paket 96-ball FBGA memastikan integritas sinyal yang unggul

Aplikasi

Server dan sistem penyimpanan
Peralatan jaringan dan routing
Sistem kontrol dan otomasi industri
Infotainment otomotif dan unit kontrol elektronik
Platform terbenam dan elektronik konsumen

Spesifikasi Teknis

Parameter	Nilai
Kepadatan	4 Gb (256M × 16)
Tingkat data	3200 Mbps
VDD	1,2 V ± 0,06 V
Paket	96-Ball FBGA
Dimensi	9 × 8 × 1,2 mm
Rentang suhu	-40 °C ~ +95 °C
Pengatur Waktu	CL = 22 @ 3200 Mbps
Lebar Data	×16
Fungsi	DLL, Refresh Otomatis/Diri Sendiri
Antarmuka	SSTL_12

Permintaan penawaran harga

Untuk informasi stok real-time, harga, dan waktu tunggu K4A4G165WG-BCWE, harap sertakan Jumlah (Qty), Waktu Tunggu yang Dibutuhkan, dan Harga Target dalam permintaan penawaran harga (RFQ) Anda. Tim kami akan segera memberikan penawaran terbaik dengan dukungan pengelolaan BOM, pasokan darurat, dan manajemen inventaris.