K4A4G085WE-BCRC | Chip Memori Samsung DDR4 4Gb SDRAM | Memori Berkecepatan Tinggi, Rendah Daya

K4A4G085WE- BCRC

Solusi memori DDR4 berkecepatan tinggi, hemat daya untuk aplikasi kinerja tinggi dan terbenam.

Deskripsi Produk

Ikhtisar Produk

K4A4G085WE-BCRC adalah DDR4 SDRAM 4Gb dari Samsung Semiconductor, disusun sebagai 512M × 8, dengan kecepatan hingga 2400 Mbps. Beroperasi hanya pada 1,2V, menawarkan peningkatan bandwidth dan konsumsi daya yang lebih rendah dibandingkan DDR3. Kemasan FBGA 96-bola yang kompak memastikan operasi yang stabil dan efisiensi termal, menjadikannya solusi ideal untuk komputasi kinerja tinggi, jaringan, otomotif, dan sistem tertanam.

Fitur Utama

Standar DDR4 SDRAM sesuai JEDEC
Mendukung laju data DDR4-2400 (2400 Mbps/pin)
Beroperasi pada tegangan rendah 1,2V ±0,06V
DLL terintegrasi untuk pengaturan waktu dan sinkronisasi yang presisi
arsitektur 8-bank untuk akses paralel yang efisien
Mendukung auto-refresh dan self-refresh
kemasan FBGA 96-bola memastikan integritas sinyal
Rentang suhu lebar (-40°C hingga +95°C) untuk penggunaan kelas industri
Kompatibel dengan platform CPU dan kontroler utama

Aplikasi

Platform komputasi performa tinggi dan server
Peralatan jaringan dan routing
Sistem kontrol dan otomasi industri
Elektronik otomotif dan sistem infotainment
Mainboard terbenam dan elektronik konsumen

Spesifikasi Teknis

Parameter	Nilai
Kepadatan	4 Gb (512M × 8)
Tingkat data	2400 Mbps
VDD	1,2V ±0,06V
Paket	96-Ball FBGA
Dimensi	9 × 8 × 1,2 mm
Suhu Operasi	-40°C ~ +95°C
Pengatur Waktu	CL=17, tRCD=17, tRP=17
Fungsi	Auto/Self Refresh, DLL
Antarmuka	SSTL_12
Arsitektur	8 Bank

Permintaan penawaran harga

Untuk informasi stok real-time, harga, dan pengiriman K4A4G085WE-BCRC, harap sertakan Jumlah (Qty), Waktu Pimpin yang Dibutuhkan, dan Harga Target dalam RFQ. Tim kami akan segera merespons dengan penawaran terbaik serta dukungan untuk kitting BOM, pasokan spot, dan manajemen inventaris.