K4U8E3S4AD-MGCL0JP | تراشه حافظه سامسونگ LPDDR4X 8Gb | حافظه موبایل و توکار پرسرعت و کم‌مصرف

K4U8E3S4AD- MGCL0JP

حافظه DRAM LPDDR4X با مصرف انرژی پایین و سرعت بالا 8 گیگابایتی برای کاربردهای تلفن همراه، اینترنت اشیا (IoT) و سیستم‌های تعبیه‌شده.

توضیحات محصول

خلاصه ی محصول

K4U8E3S4AD-MGCL0JP یک تراشه حافظه DRAM 8 گیگابیتی LPDDR4X از سامسونگ سمی‌کانداکتور است که برای عملکرد بالا و مصرف انرژی پایین بهینه‌سازی شده است. این تراشه با ولتاژ تنها 1.1 ولت و پشتیبانی از سرعت‌های تا 4266 مگابیت در ثانیه، پهنای باند استثنایی و بازده انرژی بالایی ارائه می‌دهد. بسته‌بندی آن از نوع FBGA با 200 گلوله فلزی است که قابلیت اطمینان حرارتی و ادغام فشرده را تضمین می‌کند و آن را به گزینه‌ای ایده‌آل برای گوشی‌های هوشمند، تبلت‌ها، الکترونیک خودرو، سیستم‌های هوش مصنوعی و پلتفرم‌های اینترنت اشیاء (IoT) توکار تبدیل می‌کند.

ویژگی‌های کلیدی

سازگار با استاندارد JEDEC LPDDR4X
نرخ داده تا 4266 مگابیت در ثانیه در هر پین
عملکرد ولتاژ پایین: V<sub>DDQ</sub> = 1.1V ± 0.06V
معماری 8 بانکه برای کارایی دسترسی موازی
آموزش داخلی CA و بهینه‌سازی تأخیر دستورات
حالت‌های تازه‌سازی خودکار و خاموشی عمیق برای مصرف بسیار پایین انرژی
بسته‌بندی FBGA با 200 گلوله برای عملکرد عالی سیگنال و حرارتی
ایده‌آل برای طراحی‌های کوچک تلفن همراه و تعبیه‌شده

کاربردها

تلفن های هوشمند و تبلت
سیستم‌های اطلاعات-سرگرمی و ناوبری خودرو
اتوماسیون صنعتی و کنترل‌کننده‌های اینترنت اشیا
محاسبات لبه هوش مصنوعی و ترمینال‌های هوشمند
وسایل پوشیدنی هوشمند و الکترونیک مصرفی

مشخصات فنی

پارامتر	ارزش
تراکم	8 گیگابیت (1G × 8)
نرخ داده	4266 مگابیت بر ثانیه
VDDQ	1.1 ولت ± 0.06 ولت
بسته	fBGA با 200 گلوله
ابعاد	10 × 10 × 0.8 میلی‌متر
محدوده دما	-40°C ~ +95°C
معماری	8 بانک
عملکرد	آموزش CA، تازه‌سازی خودکار
رابط	LPDDR4X
کارایی قدرت	حالت خواب عمیق / تازه‌سازی خودکار

درخواست قیمت‌گذاری

برای اطلاعات به‌روز درباره موجودی، قیمت‌گذاری و تحویل K4U8E3S4AD-MGCL0JP، لطفاً مقدار مورد نیاز (Qty)، زمان تحویل مورد نیاز و قیمت هدف را در درخواست پیشنهاد قیمت (RFQ) خود قرار دهید. تیم ما به سرعت بهترین پیشنهاد قیمت را ارائه خواهد داد و از شما در زمینه کیت‌بندی BOM، تأمین فوری و مدیریت موجودی پشتیبانی می‌کند.