Memoria LPDDR4X de alto ancho de banda y baja potencia de grado automotriz para IVI, ADAS y sistemas embebidos industriales
Descripción del producto
El MT53E512M32D1ZW-046 AUT:B es una memoria automotriz LPDDR4X de 4 GB de Micron, organizada como 512M × 32 y que admite velocidades de hasta 4266 Mbps. Diseñado para aplicaciones automotrices alineadas con AEC-Q100, ofrece alto ancho de banda, bajo consumo de energía y fiabilidad extendida para implementaciones a largo plazo.
Funcionando a VDD2 = 0,6 V, reduce significativamente el consumo energético a nivel del sistema, manteniendo un excelente rendimiento en sistemas IVI, tuberías de procesamiento ADAS, módulos de cámaras automotrices y plataformas embebidas de alto rendimiento. Su mayor fiabilidad y tolerancia extendida a la temperatura lo hacen adecuado para entornos automotrices e industriales exigentes.
Las características clave
Campos de Aplicación
Especificaciones clave
| Artículo | Especificación |
| Densidad | 4GB |
| Organización | 512M × 32 |
| Tipo de memoria | LPDDR4X SDRAM |
| Tasa de datos | 4266Mbps |
| Voltaje de operación | VDD2 = 0,6 V |
| Grado | Grado automotriz |
| Temperatura de Funcionamiento | Rango automotriz extendido |
| Fabricante | Micra |
| Paquete | FBGA |
| Estándar | JEDEC LPDDR4X |
Solicitud de cotización
Para solicitar precios del MT53E512M32D1ZW-046 AUT:B—including disponibilidad, tiempo de entrega, cantidad mínima de pedido, detalles del lote automotriz, hoja técnica o recomendaciones cruzadas—por favor envíe su solicitud de cotización (RFQ).
Soporta suministro puntual, abastecimiento ante escasez en el sector automotriz, preparación de kits BOM y planificación de producción a largo plazo.