K4U8E3S4AD-MGCL0JP | Chip de memoria Samsung LPDDR4X 8Gb | Memoria móvil y embebida de alta velocidad y bajo consumo

K4U8E3S4AD- MGCL0JP

8 GB de DRAM LPDDR4X de bajo consumo y alta velocidad para aplicaciones móviles, IoT y embebidas.

Descripción del Producto

Descripción del producto

K4U8E3S4AD-MGCL0JP es una DRAM LPDDR4X de 8 Gb de Samsung Semiconductor, optimizada para alto rendimiento y bajo consumo de energía. Funcionando a solo 1.1V y soportando velocidades de hasta 4266 Mbps, ofrece una excepcional capacidad de transferencia y eficiencia energética. Con su encapsulado FBGA de 200 bolas, garantiza confiabilidad térmica e integración compacta, lo que la hace ideal para smartphones, tabletas, electrónica automotriz, sistemas de IA y plataformas IoT embebidas.

Las características clave

Cumple con el estándar JEDEC LPDDR4X
Velocidades de datos de hasta 4266 Mbps por pin
Operación a baja tensión: V<sub>DDQ</sub> = 1.1V ± 0.06V
arquitectura de 8 bancos para eficiencia en acceso paralelo
Entrenamiento de CA y optimización de latencia de comandos integrados
Modos de autoactualización y suspensión profunda para un consumo de energía ultra bajo
paquete FBGA de 200 bolas para un rendimiento superior de señal y térmico
Ideal para diseños móviles y embebidos compactos

Aplicaciones

Teléfonos inteligentes y tabletas
Sistemas de infotainment y navegación automotriz
Automatización industrial y controladores IoT
Computación en el borde con IA y terminales inteligentes
Dispositivos inteligentes portátiles y electrónica de consumo

Especificaciones técnicas

Parámetro	Valor
Densidad	8 Gb (1G × 8)
Tasa de datos	4266 Mbps
VDDQ	1.1V ± 0.06V
Paquete	fBGA de 200 bolas
Dimensión	10 × 10 × 0,8 mm
Rango de temperatura	-40°C ~ +95°C
Arquitectura	8 bancos
Funciones	Capacitación CA, actualización automática
Interfaz	LPDDR4X
Eficiencia energética	Modo de suspensión profunda / autoactualización

Solicitud de cotización

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