K4RAH086VB-BCQK

sDRAM DDR5 de 16 Gb de alta velocidad y bajo consumo para centros de datos y aplicaciones de computación de alto rendimiento.

Descripción del Producto

Descripción del producto

K4RAH086VB-BCQK es un SDRAM DDR5 de 16 GB de Samsung Semiconductor, organizado como 2G × 8 y compatible con los estándares JEDEC DDR5. Funciona a 1.1V y soporta tasas de datos de hasta 4800 Mbps, ofreciendo un ancho de banda superior y mayor eficiencia energética en comparación con DDR4. Cuenta con PMIC integrado para la gestión de energía y ECC en el chip para mejorar la fiabilidad de los datos, siendo ideal para servidores, computación AI, equipos de red y sistemas embebidos de gama alta.

Las características clave

Estándar SDRAM DDR5 conforme a JEDEC
Soporta tasas de datos de hasta 4800 Mbps (DDR5-4800)
Funciona a 1.1V ± 0.05V para una mejor eficiencia energética
El PMIC integrado reduce la complejidad de alimentación en la placa base
El ECC en el chip garantiza una mayor fiabilidad de los datos
Canales duales de 32 bits para un mayor ancho de banda en paralelo
Soporta modos de auto-refresco, calibración y bajo consumo profundo
Paquete FBGA de 96 bolas compacto que asegura una integridad de señal superior

Aplicaciones

Módulos de memoria para servidores y centros de datos
Computación AI y aceleradores de aprendizaje profundo
Equipos de red y routers de alta velocidad
Automatización industrial y controladores embebidos
Gráficos y computación de alto rendimiento (HPC)

Especificaciones técnicas

Parámetro	Valor
Densidad	16 Gb (2G × 8)
Tasa de datos	4800 Mbps
VDD	1,1 V ± 0,05 V
Gestión de Energía	pMIC integrado
ECC	ECC integrado
Paquete	fBGA de 96 bolas
Dimensión	9 × 8 × 1,2 mm
Rango de temperatura	-40°C ~ +95°C
Arquitectura	8 bancos × 2 × 32 bits
Funciones	PMIC, ECC, Autoactualización
Interfaz	SSTL_11

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