K4F8E304HB-MGCJ | Chip de Memoria Samsung LPDDR4 8Gb | Memoria Móvil y Embebida de Alta Velocidad y Baja Potencia

Descripción del producto

K4F8E304HB-MGCJ es una DRAM LPDDR4 de 8 Gb de Samsung Semiconductor, diseñada para altas tasas de transferencia y funcionamiento ultraeficiente en consumo energético. Cumple con los estándares JEDEC LPDDR4 y admite velocidades de hasta 3733 Mbps con un voltaje de operación de 1,1 V. El encapsulado FBGA de 200 bolas garantiza una excelente integridad de señal y una integración compacta, lo que la hace ideal para dispositivos móviles, sistemas automotrices, controladores IoT y plataformas industriales embebidas.

Las características clave

• Estándar LPDDR4 conforme a JEDEC
• Velocidades de datos de hasta 3733 Mbps por pin
• Funciona a 1,1 V ± 0,06 V para un consumo ultrabajo
• Canales duales de 16 bits para mayor ancho de banda
• Mecanismo integrado de entrenamiento de comandos y calibración
• Admite modos de autoactualización, apagado profundo y gestión de energía
• Paquete FBGA compacto de 200 bolas para un rendimiento fiable del señal
• Ideal para aplicaciones móviles y de memoria integrada

Aplicaciones

• Teléfonos inteligentes y tabletas
• Sistemas de infotainment y navegación automotriz
• Dispositivos de control industrial y IoT
• Unidades de computación AI y procesamiento perimetral
• Electrónica portátil y de consumo

Especificaciones técnicas

Solicitud de cotización

Para disponibilidad real en tiempo real, precios e información de entrega de K4F8E304HB-MGCJ, incluya su Cantidad (Qty), Tiempo de entrega requerido y Precio objetivo en la solicitud de cotización (RFQ). Nuestro equipo proporcionará rápidamente la mejor cotización y soporte para kits BOM, suministro puntual y gestión de inventario.