K4B1G1646I-BYMA | Chip de memoria Samsung DDR3 SDRAM | Memoria de alto rendimiento de grado industrial

K4B1G1646I- BYMA

Solución de memoria DDR3 de bajo consumo y alto rendimiento para aplicaciones industriales y embebidas.

Descripción del Producto

Descripción del producto

K4B1G1646I-BYMA es un DDR3 SDRAM de 1 Gb de Samsung Semiconductor, diseñado para aplicaciones de alto ancho de banda y bajo consumo energético. Funcionando a 1,5 V con una tasa de transferencia de datos de hasta 1600 Mbps, ofrece un excelente rendimiento y fiabilidad. El encapsulado FBGA de 78 bolas garantiza un diseño compacto y unas características térmicas estables, lo que lo hace ideal para sistemas embebidos, redes, aplicaciones automotrices e industriales que requieren un rendimiento eficiente de la memoria.

Las características clave

DDR3 SDRAM conforme a JEDEC
Tasa de transferencia de datos de hasta 1600 Mbps (DDR3-1600)
funcionamiento a 1,5 V ±0,075 V para reducir el consumo de energía
DLL integrado para temporización y sincronización precisa
Soporta modos de auto-refresco, auto-renovación y suspensión
Encapsulado compacto FBGA de 78 bolas para una calidad de señal superior
Amplio rango de temperatura de operación (-40°C a +95°C)
Ciclo de vida del producto prolongado, adecuado para entornos industriales

Aplicaciones

Sistemas de control industrial y placas base embebidas
Electrónica automotriz y sistemas de infoentretenimiento
Dispositivos de comunicación de red y enrutadores
Electrónica de consumo y sistemas de visualización
Instrumentos médicos y electrodomésticos inteligentes

Especificaciones técnicas

Parámetro	Valor
Densidad	1 Gb (128M × 8 / 64M × 16)
Tasa de datos	1600 Mbps
VDD	1,5 V ±0,075 V
Paquete	78-Ball FBGA
Dimensión	9 × 7,8 × 1,2 mm
Rango de temperatura	-40°C ~ +95°C
Temporización	CL=11, tRCD=11, tRP=11
Funciones	Auto/Refresco automático, DLL
Interfaz	SSTL_15
Aplicación	Sistemas industriales, automotrices y embebidos

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