K4AAG165WA-BIWETCT

Chip de memoria DDR4 de 16 GB ×16 de alto rendimiento para servidores, aplicaciones industriales y automotrices.

Descripción del Producto

Descripción del producto

K4AAG165WA-BIWETCT es una memoria SDRAM DDR4 de alto rendimiento de 16 Gb de Samsung Semiconductor, organizada como 1G × 16. Soporta tasas de datos de hasta 3200 Mbps por pin con un voltaje de operación de 1,2 V, combinando gran ancho de banda con bajo consumo de energía. Con un encapsulado FBGA de 96 bolas, este dispositivo garantiza un excelente rendimiento térmico y de señal, lo que la hace ideal para servidores, control industrial, electrónica automotriz y sistemas informáticos basados en IA que requieren estabilidad y durabilidad a largo plazo.

Las características clave

Estándar DDR4 SDRAM conforme con JEDEC
Admite velocidades de datos de hasta 3200 Mbps (DDR4-3200)
Funciona a baja tensión de 1,2 V ± 0,06 V para mayor eficiencia
anchura de datos de 16 bits para un alto rendimiento por chip
DLL integrado para sincronización precisa de tiempos
Modos de auto-refresco, auto-renovación y ahorro de energía soportados
Amplio rango de temperatura operativa (-40 °C a +95 °C) para entornos industriales
Encapsulado compacto FBGA de 96 bolas con excelentes características de señal y térmicas

Aplicaciones

Módulos de memoria para servidores y centros de datos
Sistemas de redes y comunicaciones
Control industrial y controladores embebidos
Unidades de infotenimiento automotriz y conducción autónoma
Computación AI y electrónica de alto rendimiento

Especificaciones técnicas

Parámetro	Valor
Densidad	16 Gb (1G × 16)
Tasa de datos	3200 Mbps
VDD	1.2V ± 0.06V
Paquete	fBGA de 96 bolas
Dimensión	9 × 8 × 1,2 mm
Rango de temperatura	-40°C ~ +95°C
Temporización	CL = 22 @ 3200 Mbps
Ancho de datos	×16
Funciones	DLL, actualización automática/propia
Interfaz	SSTL_12

Solicitud de cotización

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