K4A4G165WG-BCWE | Chip de memoria Samsung DDR4 4Gb ×16 SDRAM | Memoria de alta velocidad y bajo consumo

Descripción del producto

K4A4G165WG-BCWE es una SDRAM DDR4 de 4 Gb de Samsung Semiconductor, organizada como 256M × 16, que ofrece velocidades de datos de hasta 3200 Mbps por pin. Con un funcionamiento a 1.2 V, proporciona una excelente eficiencia energética y precisión en los tiempos. El encapsulado FBGA de 96 bolas garantiza una disposición compacta, estabilidad térmica y fiabilidad a largo plazo, ideal para servidores, equipos de red, automatización industrial y electrónica automotriz.

Las características clave

• Estándar DDR4 SDRAM conforme con JEDEC
• Admite velocidades de datos de hasta 3200 Mbps (DDR4-3200)
• Funcionamiento a baja tensión (1,2 V ± 0,06 V) para mayor eficiencia energética
• ancho de datos de 16 bits para mayor ancho de banda por chip
• DLL integrado para sincronización precisa de tiempos
• Modos de auto-refresco, auto-renovación y ahorro de energía soportados
• Amplia temperatura de operación (-40 °C a +95 °C) para uso industrial y automotriz
• paquete FBGA de 96 bolas garantiza una integridad de señal superior

Aplicaciones

• Servidores y sistemas de almacenamiento
• Equipos de redes y enrutamiento
• Sistemas de control y automatización industrial
• Unidades de entretenimiento y control electrónico automotriz
• Plataformas embebidas y electrónica de consumo

Especificaciones técnicas

Solicitud de cotización

Para obtener información en tiempo real sobre existencias, precios y plazos de entrega del K4A4G165WG-BCWE, incluya su Cantidad (Qty), Plazo de Entrega requerido y Precio objetivo en su solicitud de cotización (RFQ). Nuestro equipo le ofrecerá rápidamente la mejor cotización con soporte para kit de lista de materiales (BOM), suministro puntual y gestión de inventario.