K4U8E3S4AD-MGCL0JP | Samsung LPDDR4X 8-Gb-Speicherchip | Hochgeschwindigkeits-, energiesparender Speicher für mobile und eingebettete Anwendungen

PRODUKTOVERSICHT

K4U8E3S4AD-MGCL0JP ist ein 8-Gb-LPDDR4X-DRAM von Samsung Semiconductor, der für hohe Leistung und geringen Stromverbrauch optimiert ist. Mit einer Betriebsspannung von nur 1,1 V und Unterstützung von Geschwindigkeiten bis zu 4266 Mbps bietet er außergewöhnliche Bandbreite und Energieeffizienz. Dank des 200-poligen FBGA-Gehäuses gewährleistet er thermische Zuverlässigkeit und kompakte Integration und eignet sich daher ideal für Smartphones, Tablets, Automotive-Elektronik, KI-Systeme und eingebettete IoT-Plattformen.

Hauptmerkmale

• Konform mit dem JEDEC-LPDDR4X-Standard
• Datenraten bis zu 4266 Mbps pro Pin
• Niederspannungsoperation: V_DDQ = 1,1 V ± 0,06 V
• 8-Bank-Architektur für effizienten parallelen Zugriff
• Integrierte CA-Training-Funktion und Optimierung der Befehls-Latenz
• Automatische Aktualisierung und tiefer Energiesparmodus für extrem geringen Stromverbrauch
• 200-poliges FBGA-Gehäuse für hervorragende Signal- und Wärmeleistung
• Ideal für kompakte mobile und eingebettete Designs

Anwendungen

• Smartphones und Tablets
• Automotive Infotainmentsysteme und Navigationssysteme
• Industrielle Automatisierung und IoT-Controller
• KI-Edge-Computing und intelligente Endgeräte
• Smarte Wearables und Unterhaltungselektronik

Technische Spezifikationen

Angebotsanfrage

Für aktuelle Informationen zu Bestand, Preis und Lieferzeit von K4U8E3S4AD-MGCL0JP geben Sie bitte Ihre Menge (Qty), benötigte Vorlaufzeit und Zielpreis in Ihrer RFQ an. Unser Team wird Ihnen umgehend das beste Angebot sowie Unterstützung für BOM-Kitting, Spot-Beschaffung und Bestandsmanagement bereitstellen.