K4RAH086VB-BCQK | Samsung DDR5 16Gb SDRAM | Hochgeschwindigkeits-, Niedrigleistungsspeicher für Server und KI

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K4RAH086VB-BCQK

16 Gb schneller, stromsparender DDR5-SDRAM für Rechenzentren und Hochleistungsanwendungen.

PRODUKTOVERSICHT

K4RAH086VB-BCQK ist ein 16-Gb-DDR5-SDRAM von Samsung Semiconductor, organisiert als 2G × 8 und konform mit den JEDEC-DDR5-Standards. Mit einer Betriebsspannung von 1,1 V und Datenraten von bis zu 4800 Mbps bietet er eine höhere Bandbreite und bessere Energieeffizienz im Vergleich zu DDR4. Dank integriertem PMIC für das Strommanagement und On-Die-ECC zur Verbesserung der Datenzuverlässigkeit eignet er sich ideal für Server, KI-Computing, Netzwerkausrüstung und hochwertige eingebettete Systeme.

 

Hauptmerkmale

  • JEDEC-konformer DDR5-SDRAM-Standard
  • Unterstützt bis zu 4800 Mbps Datenrate (DDR5-4800)
  • Arbeitet bei 1,1 V ± 0,05 V für verbesserte Energieeffizienz
  • Integriertes PMIC reduziert die Stromversorgungskomplexität der Hauptplatine
  • On-Die-ECC gewährleistet erhöhte Datensicherheit
  • Zwei 32-Bit-Kanäle für höhere parallele Bandbreite
  • Unterstützt automatische Aktualisierung, Kalibrierung und Deep-Power-Down-Modi
  • Kompaktes 96-poliges FBGA-Gehäuse für hervorragende Signalintegrität

 

Anwendungen

  • Speichermodule für Server und Rechenzentren
  • KI-Berechnung und Beschleuniger für maschinelles Lernen
  • Netzwerk- und Hochgeschwindigkeits-Router-Ausrüstung
  • Industrielle Automatisierung und eingebettete Steuerungen
  • Grafik und Hochleistungsrechnen (HPC)

 

Technische Spezifikationen

Parameter Wert
Dichte 16 Gb (2G × 8)
Datenrate 4800 Mbps
VDD 1,1 V ± 0,05 V
Energiemanagement integrierter PMIC
ECC On-Die-ECC
Verpackung 96-Ball FBGA
Abmessung 9 × 8 × 1,2 mm
Temperaturbereich -40 °C ~ +95 °C
Architektur 8 Bank × 2 × 32-Bit
Funktionen PMIC, ECC, automatische Aktualisierung
Schnittstelle SSTL_11

 

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