K4F8E304HB-MGCJ | Samsung LPDDR4 8-Gb-Speicherchip | Hochgeschwindigkeits-, Low-Power-Speicher für mobile und eingebettete Anwendungen

PRODUKTOVERSICHT

K4F8E304HB-MGCJ ist ein 8-Gb-LPDDR4-DRAM von Samsung Semiconductor, der für hohe Bandbreite und ultraniedrigen Stromverbrauch konzipiert ist. In Übereinstimmung mit dem JEDEC-LPDDR4-Standard unterstützt er Geschwindigkeiten von bis zu 3733 Mbps bei einer Betriebsspannung von 1,1 V. Das 200-polige FBGA-Gehäuse gewährleistet eine hervorragende Signalintegrität und kompakte Integration und eignet sich somit ideal für mobile Geräte, Automobil-Systeme, IoT-Controller und industrielle Embedded-Plattformen.

Hauptmerkmale

• JEDEC-konformer LPDDR4-Standard
• Datenraten von bis zu 3733 Mbps pro Pin
• Betrieb bei 1,1 V ± 0,06 V für ultraniedrigen Stromverbrauch
• Zwei 16-Bit-Kanäle für erhöhte Bandbreite
• Integrierter CA-Training- und Kalibriermechanismus
• Unterstützt Selbstaktualisierung, Deep-Power-Down- und Energiemanagementmodi
• Kompaktes 200-Ball-FBGA-Gehäuse für zuverlässige Signalperformance
• Ideal für mobile und eingebettete Speicheranwendungen

Anwendungen

• Smartphones und Tablets
• Automotive Infotainmentsysteme und Navigationssysteme
• Industriesteuerungen und IoT-Geräte
• AI-Computer und Edge-Processing-Einheiten
• Tragbare Geräte und Consumer-Elektronik

Technische Spezifikationen

Angebotsanfrage

Für aktuelle Lagerbestände, Preise und Lieferinformationen von K4F8E304HB-MGCJ geben Sie bitte Ihre Menge (Qty), benötigte Vorlaufzeit und Zielpreis im RFQ an. Unser Team wird Ihnen umgehend das beste Angebot sowie Unterstützung bei BOM-Kitting, Spot-Beschaffung und Bestandsmanagement bereitstellen.