K4B1G1646I-BYMA | Samsung DDR3 SDRAM-Speicherchip | Industrieller Hochleistungsspeicher

K4B1G1646I- BYMA

Stromsparende, leistungsstarke DDR3-Speicherlösung für industrielle und eingebettete Anwendungen.

Produktbeschreibung

PRODUKTOVERSICHT

K4B1G1646I-BYMA ist ein 1 Gb DDR3 SDRAM von Samsung Semiconductor, entwickelt für Anwendungen mit hohem Bandbreitenbedarf und geringem Stromverbrauch. Bei einer Betriebsspannung von 1,5 V und einer Datenrate von bis zu 1600 Mbps bietet er hervorragende Leistung und Zuverlässigkeit. Das 78-Ball-FBGA-Gehäuse gewährleistet eine kompakte Bauform und stabile thermische Eigenschaften, wodurch es sich ideal für eingebettete Systeme, Netzwerkanwendungen, Automotive- und Industrieanwendungen eignet, die effiziente Speicherleistung erfordern.

Hauptmerkmale

JEDEC-konformer DDR3 SDRAM
Datenübertragungsrate bis zu 1600 Mbps (DDR3-1600)
betriebsspannung 1,5 V ±0,075 V zur Reduzierung des Stromverbrauchs
Integrierte DLL für präzise Taktabstimmung und Synchronisation
Unterstützt Automatische Aktualisierung, Selbstaktualisierung und Energiesparmodi
Kompaktes 78-Ball-FBGA-Gehäuse für hervorragende Signalqualität
Weiter Betriebstemperaturbereich (-40 °C bis +95 °C)
Lange Produktlebensdauer, geeignet für industrielle Umgebungen

Anwendungen

Industrielle Steuerungssysteme und eingebettete Hauptplatinen
Automotive-Elektronik und Infotainmentsysteme
Netzwerkkommunikationsgeräte und Router
Consumer-Elektronik und Anzeigesysteme
Medizinische Geräte und intelligente Haushaltsgeräte

Technische Spezifikationen

Parameter	Wert
Dichte	1 Gb (128M × 8 / 64M × 16)
Datenrate	1600 Mbps
VDD	1,5 V ±0,075 V
Verpackung	78-Ball FBGA
Abmessung	9 × 7,8 × 1,2 mm
Temperaturbereich	-40 °C ~ +95 °C
Timing	CL=11, tRCD=11, tRP=11
Funktionen	Automatische/Selbst-Refresh, DLL
Schnittstelle	SSTL_15
Anwendung	Industrielle, automotive und eingebettete Systeme

Angebotsanfrage

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