K4AAG165WC-BCWE

Leistungsstarker 16-GB-×16-DDR4-Speicherchip für Server-, Industrie- und Automotive-Anwendungen.

Produktbeschreibung

PRODUKTOVERSICHT

K4AAG165WC-BCWE ist ein leistungsstarker 16-Gb-DDR4-SDRAM von Samsung Semiconductor, organisiert als 1G × 16 und konform mit den JEDEC-DDR4-Standards. Er erreicht Datentransferraten von bis zu 3200 Mbps bei einem Betriebsspannungsniveau von nur 1,2 V und bietet so außergewöhnliche Bandbreite bei reduziertem Stromverbrauch. Dank des 96-poligen FBGA-Gehäuses gewährleistet der Chip eine hervorragende thermische Stabilität und Signalintegrität und eignet sich daher ideal für Server, Netzwerkanwendungen, KI-Berechnungen, industrielle Steuerungen und Automobilsysteme, die langfristige Zuverlässigkeit erfordern.

Hauptmerkmale

JEDEC-konformer DDR4-SDRAM-Standard
Unterstützt Datentransferraten bis zu 3200 Mbps (DDR4-3200)
Betrieb bei 1,2 V ± 0,06 V für hohe Energieeffizienz
16-Bit-Datenbreite für verbesserte Durchsatzleistung
Integrierte DLL für präzise Taktsynchronisation
Automatische Aktualisierung, Selbstaktualisierung und Deep-Power-Down-Modi
Weiter Betriebstemperaturbereich (-40 °C bis +95 °C) für den Einsatz im industriellen Bereich
Kompaktes 96-Ball-FBGA-Gehäuse für hervorragende Signal- und Wärmeproduktleistung

Anwendungen

Speichermodule für Server und Rechenzentren
Netzwerk- und Speichersysteme
Industrielle Automatisierung und eingebettete Geräte
Automotive-Infotainment- und KI-Rechenplattformen
Verbraucher- und Hochleistungs-Steuerungssysteme

Technische Spezifikationen

Parameter	Wert
Dichte	16 Gb (1G × 16)
Datenrate	3200 Mbps
VDD	1,2 V ± 0,06 V
Verpackung	96-Ball FBGA
Abmessung	9 × 8 × 1,2 mm
Temperaturbereich	-40 °C ~ +95 °C
Timing	CL = 22 @ 3200 Mbps
Datenbreite	×16
Funktionen	DLL, Auto/Selbst-Refresh
Schnittstelle	SSTL_12

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