K4A8G165WC-BCTD | Samsung DDR4 8Gb ×16 SDRAM-Speicherchip | Hochgeschwindigkeits-, energiesparender, industrietauglicher Speicher

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K4A8G165WC- BCTD

Hochbandbreiten-8-Gb-×16-DDR4-Speicherchip für Server, Netzwerk- und Embedded-Anwendungen.

PRODUKTOVERSICHT

K4A8G165WC-BCTD ist ein 8-Gb-DDR4-SDRAM von Samsung Semiconductor mit einer Anordnung von 512M × 16. Bei einer Betriebsspannung von 1,2 V und Unterstützung von Geschwindigkeiten bis zu 3200 Mbps bietet er hervorragende Bandbreite, geringen Stromverbrauch und starke Signalintegrität. Aufgrund seines kompakten 96-poligen FBGA-Gehäuses eignet er sich ideal für hochdichte Servermodule, Netzwerksysteme, Automotive-Elektronik und industrielle Embedded-Designs.

 

Hauptmerkmale

  • JEDEC-konformer DDR4-SDRAM
  • Unterstützt Datentransferraten bis zu 3200 Mbps (DDR4-3200)
  • Betrieb bei 1,2 V ± 0,06 V für geringen Stromverbrauch und hohe Effizienz
  • 16-Bit-Datenbreite für erhöhte Bandbreite pro Chip
  • Integrierte DLL für präzise Taktabstimmung und Synchronisation
  • Unterstützt automatische Aktualisierung, Selbstaktualisierung und tiefen Energiesparmodus
  • Großer Temperaturbereich (-40 °C bis +95 °C) für industrielle Anwendungen
  • 96-poliges FBGA-Gehäuse sorgt für robuste Signal- und Wärmeleistung

 

Anwendungen

  • Speichermodule für Server und Rechenzentren
  • Netzwerk- und Kommunikationssysteme
  • Industrielle Automatisierung und eingebettete Steuerungen
  • Automotive-Infotainmentsysteme und KI-Steuereinheiten
  • Consumer-Elektronik und High-End-Displayprodukte

 

Technische Spezifikationen

Parameter Wert
Dichte 8 Gb (512M × 16)
Datenrate 3200 Mbps
VDD 1,2 V ± 0,06 V
Verpackung 96-Ball FBGA
Abmessung 9 × 8 × 1,2 mm
Temperaturbereich -40 °C ~ +95 °C
Timing CL = 22 @ 3200 Mbps
Datenbreite ×16
Funktionen DLL, Auto/Selbst-Refresh
Schnittstelle SSTL_12

 

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