Hochbandbreiten-8-Gb-×16-DDR4-Speicherchip für Server, Netzwerk- und Embedded-Anwendungen.
PRODUKTOVERSICHT
K4A8G165WC-BCTD ist ein 8-Gb-DDR4-SDRAM von Samsung Semiconductor mit einer Anordnung von 512M × 16. Bei einer Betriebsspannung von 1,2 V und Unterstützung von Geschwindigkeiten bis zu 3200 Mbps bietet er hervorragende Bandbreite, geringen Stromverbrauch und starke Signalintegrität. Aufgrund seines kompakten 96-poligen FBGA-Gehäuses eignet er sich ideal für hochdichte Servermodule, Netzwerksysteme, Automotive-Elektronik und industrielle Embedded-Designs.
Hauptmerkmale
Anwendungen
Technische Spezifikationen
| Parameter | Wert |
| Dichte | 8 Gb (512M × 16) |
| Datenrate | 3200 Mbps |
| VDD | 1,2 V ± 0,06 V |
| Verpackung | 96-Ball FBGA |
| Abmessung | 9 × 8 × 1,2 mm |
| Temperaturbereich | -40 °C ~ +95 °C |
| Timing | CL = 22 @ 3200 Mbps |
| Datenbreite | ×16 |
| Funktionen | DLL, Auto/Selbst-Refresh |
| Schnittstelle | SSTL_12 |
Angebotsanfrage
Für aktuelle Informationen zu Lagerbestand, Preis und Lieferzeit von K4A8G165WC-BCTD geben Sie bitte Ihre Menge (Qty), benötigte Lieferzeit und Zielpreis in Ihrer RFQ an. Unser Team wird zeitnah mit dem besten Angebot sowie Unterstützung für BOM-Komplettierung, Spot-Beschaffung und Bestandsmanagement antworten.