K4A4G165WG-BCWE | Samsung DDR4 4 Gb ×16 SDRAM-Speicherchip | Hochgeschwindigkeits-, stromsparender Speicher

PRODUKTOVERSICHT

K4A4G165WG-BCWE ist ein 4 Gb großer DDR4-SDRAM von Samsung Semiconductor mit einer Organisation von 256 M × 16 und ermöglicht Datentransferraten von bis zu 3200 Mbps pro Pin. Bei einer Betriebsspannung von 1,2 V bietet er hervorragende Energieeffizienz und präzise Timing-Eigenschaften. Das 96-polige FBGA-Gehäuse gewährleistet eine kompakte Bauform, thermische Stabilität und langfristige Zuverlässigkeit – ideal für Server, Netzwerkgeräte, industrielle Automatisierung und Automotive-Elektronik.

Hauptmerkmale

• JEDEC-konformer DDR4-SDRAM-Standard
• Unterstützt Datentransferraten bis zu 3200 Mbps (DDR4-3200)
• Niederspannungsoperation (1,2 V ± 0,06 V) für hohe Energieeffizienz
• 16-Bit-Datenbreite für höhere Bandbreite pro Chip
• Integrierte DLL für präzise Taktsynchronisation
• Unterstützt automatische Aktualisierung, Selbstaktualisierung und energiesparende Modi
• Breiter Betriebstemperaturbereich (-40 °C bis +95 °C) für industrielle und automotive Anwendungen
• 96-Ball-FBGA-Gehäuse gewährleistet hervorragende Signalintegrität

Anwendungen

• Server und Speichersysteme
• Netzwerk- und Router-Ausrüstung
• Industrielle Steuerungs- und Automatisierungssysteme
• Automotive-Infotainmentsysteme und elektronische Steuergeräte
• Eingebettete Plattformen und Consumer-Elektronik

Technische Spezifikationen

Angebotsanfrage

Für aktuelle Informationen zu Lagerbestand, Preis und Lieferzeit von K4A4G165WG-BCWE geben Sie bitte Ihre Menge (Qty), benötigte Lieferzeit und Zielpreis in Ihrem RFQ an. Unser Team wird Ihnen umgehend das beste Angebot unter Berücksichtigung von BOM-Kitting, Spot-Beschaffung und Lagerbestandsverwaltung unterbreiten.