K4A4G085WE-BCRC | Samsung DDR4 4 Gb SDRAM-Speicherchip | Hochgeschwindigkeits-, Low-Power-Speicher

K4A4G085WE- BCRC

Hochleistungsfähige, stromsparende DDR4-Speicherlösung für Hochleistungs- und Embedded-Anwendungen.

Produktbeschreibung

PRODUKTOVERSICHT

K4A4G085WE-BCRC ist ein 4 Gb DDR4 SDRAM von Samsung Semiconductor, organisiert als 512M × 8, mit Geschwindigkeiten von bis zu 2400 Mbps. Bei einem Betriebsspannungsniveau von nur 1,2 V bietet er im Vergleich zu DDR3 eine verbesserte Bandbreite und geringeren Stromverbrauch. Das kompakte 96-Ball-FBGA-Gehäuse gewährleistet stabile Funktionalität und thermische Effizienz und macht es somit zur idealen Lösung für leistungsstarke Computer, Netzwerkanwendungen, Automotive und eingebettete Systeme.

Hauptmerkmale

JEDEC-konformer DDR4-SDRAM-Standard
Unterstützt DDR4-2400-Datenrate (2400 Mbps/Pin)
Betrieb bei niedriger Spannung 1,2 V ±0,06 V
Integrierte DLL für präzise Taktabstimmung und Synchronisation
8-Bank-Architektur für effizienten parallelen Zugriff
Unterstützt Automatische Aktualisierung und Selbstaktualisierung
96-Ball-FBGA-Gehäuse gewährleistet Signalintegrität
Großer Temperaturbereich (-40 °C bis +95 °C) für industrielle Anwendungen
Kompatibel mit gängigen CPU- und Controller-Plattformen

Anwendungen

Hochleistungsrechner- und Serverplattformen
Netzwerk- und Router-Ausrüstung
Industrielle Steuerungs- und Automatisierungssysteme
Automotive-Elektronik und Infotainmentsysteme
Eingebettete Hauptplatinen und Consumer-Elektronik

Technische Spezifikationen

Parameter	Wert
Dichte	4 Gb (512M × 8)
Datenrate	2400 Mbps
VDD	1,2 V ±0,06 V
Verpackung	96-Ball FBGA
Abmessung	9 × 8 × 1,2 mm
Betriebstemperatur	-40 °C ~ +95 °C
Timing	CL=17, tRCD=17, tRP=17
Funktionen	Automatische/Selbst-Refresh, DLL
Schnittstelle	SSTL_12
Architektur	8 Bank

Angebotsanfrage

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