K4RAH086VB-BCQK

sDRAM DDR5 16Gb o uchafbwyntiau, is-isgrym ar gyfer canolfannau data a rhaglenni cyfrifo perfformiad uchel.

Disgrifiad y Cynnyrch

Arolwg Cyffredinol ar y Cynnyrch

Mae K4RAH086VB-BCQK yn DDR5 SDRAM 16Gb gan Samsung Semiconductor, wedi'i threfnu fel 2G × 8 ac yn cydymffurfio â safonau JEDEC DDR5. Gyda gweithredu wrth 1.1V a chefnogaeth i gyfraddau data hyd at 4800 Mbps, mae'n darparu bandlask a effeithlonrwydd ynni gwell na DDR4. Gyda PMIC integredig ar gyfer rheoli pŵer a chofrestru ECC o fewn y ddynod i wella hygrededd y data, mae'n addas iawn ar gyfer gweinyddion, gyfrifiadureg AI, offer rhwydweithio, a systemau mabnach uwch.

Nodweddion Allweddol

Safon DDR5 SDRAM sy'n cydymffurfio â JEDEC
Mae'n cefnogi cyfradd ddata hyd at 4800 Mbps (DDR5-4800)
Gweithre mewn amrediad o 1.1V ± 0.05V i wella effeithloniadrwydd ynni
Mae PMIC integredig yn lleihau cymhlethdod pŵer y ffordd-gartref
Mae ECC ar y ddynedla yn sicrhau hygrededd ddata gwella
Dwy ganolbarth 32-bit ar gyfer bandlled ar lefel uchaf
Mae'n cefnogi adfywiad awtomatig, calibrio a moddau diffodd pŵer dwfn
Pecyn FBGA 96-bêl bach sy'n sicrhau cyflwr aruthrol ar gyfer signal

Ceisiadau

Modiwlau cofnod y gweinydd a'r ganolfan ddata
Cyfrifiadwr AI a chyflymuwyr dysgu craffter
Rhwydweithiau a thonneddiadau gwarter cyflym
Awtomateiddio diwydiannol a rheolyddion mabnuo
Graffeg a chyfrifiadura uchel berformance (HPC)

Manylebau Technegol

Parametr	Gwerth
Dichgymeredd	16 Gb (2G × 8)
Swydd Bydata	4800 Mbps
VDD	1.1V ± 0.05V
Rheoli bwerffordd	pMIC mewnol
ECC	ECC ar y Ddamwain
Pac	96-Ball FBGA
Dimensiwn	9 × 8 × 1.2 mm
Ystod Temp	-40°C ~ +95°C
Adeiladu	8 Banc × 2 × 32-did
Ffwythiannau	PMIC, ECC, Adfygio Awtomatig
Rhyngrwyd	SSTL_11

Cais am Ofyn Am Gwerth

Am fflydrestod, prisiau a gwybodaeth am gyflwyno K4RAH086VB-BCQK yn fyw, cynhwyswch eich Nifer (Qty), Amser Arweiniol Angenrheidiol, a Phris Target yn y RFQ. Bydd ein tîm yn darparu'r dyfarniad gorau ar frys ynghyd â chefnogaeth ar gyfer paratoi BOM, cyflenwi man, a rheoli storio.