K4F8E304HB-MGCJ | Cip Gofod Samsung LPDDR4 8Gb | Gofod Symudol a Mabnata â Chyflymder Uchel ac Ynni Isel

K4F8E304HB- MGCJ

8Gb o LPDDR4 DRAM cyflym, is-galonnau sydd wedi'i optimeiddio ar gyfer systemau symudol a mabnach.

Disgrifiad y Cynnyrch

Arolwg Cyffredinol ar y Cynnyrch

Mae K4F8E304HB-MGCJ yn 8Gb LPDDR4 DRAM gan Samsung Semiconductor, a gynhyrchwyd ar gyfer bandlēin uchel a gweithredu â chynaliad eithaf isel. Yn ôl safonau JEDEC LPDDR4, mae'n cefnogi cyflymderoedd hyd at 3733 Mbps wrth foltedd gweithredu o 1.1V. Mae'r pecyn FBGA 200-bêl yn sicrhau cyflwr aruthrol ar gyfer arwyddion a chymhwyso trawiannol, sy'n ei wneud yn ddelfrydol ar gyfer dyfeisiau symudol, systemau ceir, rheolyddion IoT, a llwyfannau mabnata diwydol.

Nodweddion Allweddol

Safon LPDDR4 sy'n ôllynol â JEDEC
Cyfraddau data hyd at 3733 Mbps yr pin
Gweithredu ar 1.1V ± 0.06V ar gyfer cynaliad eithaf isel
Dwbl sianel 16-bit i wella bandlēin
Ymarfer a chalibrio CA mewnol
Cefnogir hunan-adfywiad, diffodd pŵer dwfn, a moddau rheoli pŵer
Pecyn FBGA 200-bêl crympawg ar gyfer perfformiad signal ddibynadwy
Addasadwy i geisiadau cofnod symudol a chyfryngau mewngrwm

Ceisiadau

Ffôn Symudol a Thabledi
Systemau gwybodaeth a llywio ceir
Ddyfeisiau rheoli diwydol a rhaglen IoT
Unedau cyfrifo AI a phrosesu ymyl
Electronegau gwisgo a chynhyrchion defnyddwyr

Manylebau Technegol

Parametr	Gwerth
Dichgymeredd	8 Gb (1G × 8)
Swydd Bydata	3733 Mbps
VDDQ	1.1V ± 0.06V
Sianelau	2 × 16-bit
Pac	200-Ball FBGA
Dimensiwn	10 × 10 × 0.8 mm
Ystod Temp	-40°C ~ +95°C
Ffwythiannau	Hyrcholedd CA, Adfywio Awtomatig
Rhyngrwyd	LPDDR4
Achrubedd gynnal	Hunaniaeth-gofresgu / Cysgu dwfn

Cais am Ofyn Am Gwerth

Am fflyduron real am stock, prisiau a gweithdrefnau K4F8E304HB-MGCJ, cynhwyswch eich Nifer (Qty), Amser Arfaeth Dymunol, a Phris Targed yn y RFQ. Bydd ein tîm yn darparu'r dyfarniad gorau'n syth ynghyd ag ymgynghoriaeth ar gyfer paratoi BOM, cyflenwi penodol a rheoli stoc.