K4A8G165WC-BCTD | Sgip Cofnodwaith Samsung DDR4 8Gb ×16 SDRAM | Cofnodwaith gradd annol gyflym, is-galonn

Arolwg Cyffredinol ar y Cynnyrch

Mae K4A8G165WC-BCTD yn DDR4 SDRAM 8Gb o Samsung Semiconductor, wedi'i drefnu fel 512M × 16. Wrth weithredu ar 1.2V a chynnal cyflymderoedd hyd at 3200 Mbps, mae'n cynnig bandlewidth arbennig, defnydd isel o bŵer, a thangneiddiad signal cryf. Mae ei bachnad FBGA 96-bêl compact yn ei wneud yn ddelfrydol ar gyfer modiwlau gweinydd trwch uchel, systemau rhwydweithio, electroneg awto, a dyluniadau mabnach annol.

Nodweddion Allweddol

• SDRAM DDR4 sy'n cydymffurfio â JEDEC
• Cefnogir cyfraddau data hyd at 3200 Mbps (DDR4-3200)
• Weithre' ar 1.2V ± 0.06V i leihau pŵer a chynhyrchiant uchel
• lled data 16-bit i wella bandlewidth fesul sgipt
• DLL integredig ar gyfer amseru a chydweddu union
• Cynhaliwyd adfywiad awtomatig, hunan-adfywiad, a llawdrugo pŵer dwfn
• Amrediad eang o dymheredd (-40°C i +95°C) ar gyfer defnydd gradd awyrennol
• pecyn 96-bêl FBGA yn sicrhau sinal a berfformiad thermol gadarn

Ceisiadau

• Modiwlau cofnod y gweinydd a'r ganolfan ddata
• Systemau rhwydwaith a chyfathrebu
• Awtomateiddio diwydiannol a rheolyddion mabnuo
• Unedau gwybodaeth ac adnabod AI cerbydau
• Electronig y defnyddiwr a chynhyrchion sgrin uchel safon

Manylebau Technegol

Cais am Ofyn Am Gwerth

Am fflydruwch, prisiau a gwybodaeth am amser arfaeth K4A8G165WC-BCTD mewn amser real, cynhwyswch eich Nifer (Qty), Amser Arfaeth Angen, a Phris Darged yn eich RFQ. Bydd ein tîm yn ymateb ar frys â'r dyfarniad gorau a chymorth ar gyfer paratoi BOM, cyflenwi man, a rheoli storio.