K4A8G165WB-BCRC | Cip Cof Samsung DDR4 8Gb ×16 SDRAM | Cof Uwch-Gyflym, Targed Isel ar gyfer Diwydiant

K4A8G165WB- BCRC

Sgip cofnod 8Gb ×16 DDR4 berfformiad uchel ar gyfer gweinyddion, y diwydiant, a rhaglenni cerbyd.

Disgrifiad y Cynnyrch

Arolwg Cyffredinol ar y Cynnyrch

Mae K4A8G165WB-BCRC yn 8Gb DDR4 SDRAM gan Samsung Semiconductor, wedi'i drefnu fel 512M × 16 ac yn cydymffurfio â safonau JEDEC DDR4. Mae'n gweithredu am 1.2V a chynorthwyo cyfraddau data hyd at 2400 Mbps, ac yn darparu cyflwr aruthrol, defnydd isel o bŵer, a sefydlogrwydd amseru. Gyda'i bacioz FBGA 96-bechen, mae'r cip hwn yn addas iawn ar gyfer DIMMs gweinydd, rheolyddion diwydiannol, systemau rhwydwaith, a chymwysiadau cerbydau sydd angen ysgogedd uchel a chynhaliaeth.

Nodweddion Allweddol

Safon DDR4 SDRAM sy'n cyd-fynd â JEDEC
Cynorthwyo cyfraddau data hyd at 2400 Mbps (DDR4-2400)
Gweithrebu am 1.2V ± 0.06V ar gyfer effeithlonrwydd uchel
lled data 16-bit i wella bandlathiad fesul chip
DLL integredig ar gyfer amseru a chydweddu union
Adfer awtomatig, adfer hunanol, a moddau arbed pŵer
pacioz FBGA 96 bechen i wella cyflwr
Amrediad eang o fewnolion (-40°C i +95°C) ar gyfer gweithredu gradd annolo

Ceisiadau

Modiwlau cofnod y gweinydd a'r ganolfan ddata
Systemau rhwydwaith a chyfathrebu
Glanrhewyr diwydiant a dyfeisiau mabnu
Platfformau gwybodaeth ac adrodd ym maes awto, a chyfrifiadureg AI
Electronig y defnyddiwr ac terfynellau ar sioe

Manylebau Technegol

Parametr	Gwerth
Dichgymeredd	8 Gb (512M × 16)
Swydd Bydata	2400 Mbps
VDD	1.2 V ± 0.06 V
Pac	96-Ball FBGA
Dimensiwn	9 × 8 × 1.2 mm
Ystod Temp	-40°C ~ +95°C
Amseru	CL = 17 @ 2400 Mbps
Lled Ddata	×16
Ffwythiannau	DLL, Adfywiad Awto/Hunanol
Rhyngrwyd	SSTL_12

Cais am Ofyn Am Gwerth

I gael stoc, prisiau a chyflenwi mewn amser real am K4A8G165WB-BCRC, cynhwyswch eich Nifer (Qty), Amser Arweiniol Angenrheidiol, a Phris Darged yn eich RFQ. Bydd ein tîm yn ymateb ar frys â'r dyfarniad gorau a chefnogaeth ar gyfer paratoi BOM, cyflenwi man, a reoli storio.