Sut i ddefnyddio diodau TVS yn dylunio diogelu electrostatic rhyngwyneb USB 2.0 / Type-C er mwyn bodloni safonau profion IEC61000 a gwella sefydlogrwydd y signal a diogelwch y dyfais.
Cyflwyniad cynnyrch
Mae diodau TVS yn ddymaen semiconductors sy'n ymateb yn gyflym a gafodd eu hanelu i wasgaru digwyddiadau tros-drychiad amserol fel ESD, newidio inductive, a thonnau. Mae'r pecyn SMA TVS yn cynnig cydbwysedd rhwng maint a delio â phŵer ar gyfer aplicaethau hyd at 600W.
Cefndir Cymhwyso
Mae rhyngwynebau USB yn cael eu plwrio a'u tynnu allan yn aml, gan eu rhoi o dan sylwedd ESD hyd at ±8kV. Heb amddiffyniad, gall y tonnau hyn ddifrod trawsweithredwyr USB yn barhaol. Mae diodau TVS sydd wedi'u lleoli rhwng llinellau sinal a gwely yn ffurfio haen hanfodol o wasgariad ESD.
Nodiadau Dylunio
Canllawiau Dewis:
Dylai V<sub>BR</sub> fynd uwchben bwriadol USB (e.e., 5V)
Dewiswch TVS â chynhwysedd juncture isel (<3pF)
Dylai amser ymateb fod yn <1ns
Mae pecyn SMA yn cynnig cydbwynt rhwng maint a pherfformiad clamping
Enghraifft o'r Bywyd Goleuol
Cylched amddiffynion ESD USB-C ar gyfer glawr gan ddefnyddio SMAJ5.0CA ar gyfer llinellau D+/D− a lwyddodd brofiant IEC61000-4-2 ±15kV heb ddifrod i integreth arwynebedd na thrigger anghywir.
Casgliad
Diodes TVS mewn pecyn SMA yn cynnig datrysiad effeithlon, crybyg a hyblyg ar gyfer amddiffyn USB a rhyngwynebau I/O sensitif eraill, gan alluogi perfformiad ESD cryf a chydymdeimlad ag safonau rhyngwladol.
Diodes TVS | Amddiffynion ESD | Amddiffyn rhwngwyneb USB | Cyfres SMAJ | Cydrannau hymestyn ESD
EN
