K4AAG165WC-BCWE

Vysokým výkonem 16GB ×16 čip paměti DDR4 pro servery, průmyslové a automobilové aplikace.

Popis výrobku

Přehled produktu

K4AAG165WC-BCWE je výkonný čip 16Gb DDR4 SDRAM od společnosti Samsung Semiconductor, uspořádaný jako 1G × 16 a vyhovující standardům JEDEC DDR4. Dosahuje přenosových rychlostí až 3200 Mbps při napájení pouze 1,2 V, čímž nabízí vynikající šířku pásma při snížené spotřebě energie. Díky pouzdru 96pinového FBGA zajišťuje čip vynikající tepelnou stabilitu a integritu signálu, což jej činí ideálním pro servery, sítě, AI výpočetní techniku, průmyslovou automatizaci a automobilové systémy vyžadující dlouhodobou spolehlivost.

Klíčové vlastnosti

DDR4 SDRAM standard podle JEDEC
Podpora přenosových rychlostí až 3200 Mbps (DDR4-3200)
Pracuje při napětí 1,2 V ± 0,06 V pro energetickou účinnost
šestnáctibitová datová šířka pro zvýšenou propustnost
Integrovaný DLL pro přesnou synchronizaci časování
Automatické obnovování, samoobnovování a režim hlubokého úsporného režimu
Široký provozní teplotní rozsah (-40 °C až +95 °C) pro použití v průmyslové třídě
Kompaktní pouzdro FBGA s 96 vývody pro vynikající signální a tepelný výkon

Použití

Paměťové moduly pro servery a datová centra
Síťové a úložné systémy
Průmyslová automatizace a vestavěná zařízení
Automobilové informačně-zábavní systémy a platformy pro umělou inteligenci
Spotřební a vysokovýkonné řídicí systémy

Technické specifikace

Parametr	Hodnota
Hustota	16 Gb (1G × 16)
Datový přenos	3200 Mb/s
VDD	1,2 V ± 0,06 V
Balení	96-Ball FBGA
Rozměr	9 × 8 × 1,2 mm
Teplotní rozsah	-40 °C ~ +95 °C
Časování	CL = 22 při 3200 Mbps
Šířka dat	×16
Funkce	DLL, automatické/seberefreshování
Rozhraní	SSTL_12

Žádost o cenovou nabídku

Pro aktuální stav skladových zásob, ceny a dodací lhůty pro K4AAG165WC-BCWE uveďte prosím ve svém RFQ požadované množství (Qty), požadovanou dodací dobu a cílovou cenu. Náš tým vám rychle předloží nejlepší nabídku a podporu při kompletaci BOM, dodávce ze skladu a správě zásob.