K4AAG165WA-BIWETCT

Vysokým výkonem 16GB ×16 čip paměti DDR4 pro servery, průmyslové a automobilové aplikace.

Popis výrobku

Přehled produktu

K4AAG165WA-BIWETCT je výkonný 16Gb DDR4 SDRAM od společnosti Samsung Semiconductor, uspořádaný jako 1G × 16. Podporuje přenosové rychlosti až 3200 Mbps na pin při provozním napětí 1,2 V, čímž kombinuje vysokou propustnost s nízkou spotřebou energie. Díky pouzdru 96pinového FBGA zajišťuje vynikající tepelný a signální výkon, což jej činí ideálním pro servery, průmyslovou automatizaci, automobilovou elektroniku a výpočetní systémy založené na umělé inteligenci, které vyžadují dlouhodobou stabilitu a odolnost.

Klíčové vlastnosti

DDR4 SDRAM standard podle JEDEC
Podpora přenosových rychlostí až 3200 Mbps (DDR4-3200)
Provoz při nízkém napětí 1,2 V ± 0,06 V pro vyšší účinnost
šestnáctibitová datová šířka pro vysoký výkon na čipu
Integrovaný DLL pro přesnou synchronizaci časování
Podpora automatického obnovování, samoobnovování a režimů úspory energie
Široký provozní teplotní rozsah (-40 °C až +95 °C) pro průmyslové prostředí
Kompaktní 96pinové pouzdro FBGA s vynikajícími signálními a tepelnými vlastnostmi

Použití

Paměťové moduly pro servery a datová centra
Síťové a komunikační systémy
Průmyslové řízení a vestavěné řadiče
Automobilové infotainmenové systémy a jednotky pro autonomní jízdu
Umělá inteligence a výkonné elektronické systémy

Technické specifikace

Parametr	Hodnota
Hustota	16 Gb (1G × 16)
Datový přenos	3200 Mb/s
VDD	1,2 V ± 0,06 V
Balení	96-Ball FBGA
Rozměr	9 × 8 × 1,2 mm
Teplotní rozsah	-40 °C ~ +95 °C
Časování	CL = 22 při 3200 Mbps
Šířka dat	×16
Funkce	DLL, automatické/seberefreshování
Rozhraní	SSTL_12

Žádost o cenovou nabídku

Pro aktuální skladové zásoby, ceny a dodací informace k produktu K4AAG165WA-BIWETCT uveďte prosím ve svém RFQ požadované množství (Qty), požadovanou dobu dodání a cílovou cenu. Náš tým vám rychle předloží nejlepší nabídku a podporu při sestavování BOM, dodávce ze skladu a správě zásob.