K4A8G165WC-BCTD | Samsung DDR4 8Gb ×16 SDRAM paměťový čip | Vysokorychlostní, nízkopříkonová průmyslová třída paměti

K4A8G165WC- BCTD

Vysokopásmový čip paměti DDR4 8 Gb ×16 pro servery, sítě a vestavěné aplikace.

Popis výrobku

Přehled produktu

K4A8G165WC-BCTD je 8Gb DDR4 SDRAM od společnosti Samsung Semiconductor, uspořádaná jako 512M × 16. Pracuje při napětí 1,2 V a podporuje rychlosti až 3200 Mbps, nabízí vynikající šířku pásma, nízkou spotřebu energie a vysokou integritu signálu. Díky kompaktnímu pouzdru 96-ball FBGA je ideální pro vysokohustotní serverové moduly, síťové systémy, automobilovou elektroniku a průmyslové vestavěné konstrukce.

Klíčové vlastnosti

DDR4 SDRAM vyhovující normě JEDEC
Podpora přenosových rychlostí až 3200 Mbps (DDR4-3200)
Provoz při napětí 1,2 V ± 0,06 V pro nízkou spotřebu a vysokou účinnost
šestnáctibitová datová šířka pro zvýšené pásmo na čip
Integrovaný DLL pro přesné časování a synchronizaci
Podpora automatického obnovování, samoobnovování a hlubokého režimu úspory energie
Široký rozsah teplot (-40 °C až +95 °C) pro průmyslové použití
balení 96-pinové FBGA zajišťuje spolehlivý signální a tepelný výkon

Použití

Paměťové moduly pro servery a datová centra
Síťové a komunikační systémy
Průmyslová automatizace a vestavěné řadiče
Automobilové infotainmentové a řídicí jednotky umělé inteligence
Spotřební elektronika a vysoce výkonné displejové produkty

Technické specifikace

Parametr	Hodnota
Hustota	8 Gb (512M × 16)
Datový přenos	3200 Mb/s
VDD	1,2 V ± 0,06 V
Balení	96-Ball FBGA
Rozměr	9 × 8 × 1,2 mm
Teplotní rozsah	-40 °C ~ +95 °C
Časování	CL = 22 při 3200 Mbps
Šířka dat	×16
Funkce	DLL, automatické/seberefreshování
Rozhraní	SSTL_12

Žádost o cenovou nabídku

Pro aktuální informace o skladových zásobách, cenách a dodacích lhůtách pro K4A8G165WC-BCTD uveďte ve svém RFQ požadované množství (Qty), požadovanou dodací lhůtu a cílovou cenu. Náš tým vám rychle odpoví s nejlepší nabídkou a podporou při kompletaci BOM, dodávce ze skladu a správě zásob.