K4A4G085WE-BCRC | Čip paměti Samsung DDR4 4Gb SDRAM | Vysokorychlostní, nízkopříkonová paměť

K4A4G085WE- BCRC

Vysokopásmové, nízkopříkonové řešení paměti DDR4 pro výkonné a vestavěné aplikace.

Popis výrobku

Přehled produktu

K4A4G085WE-BCRC je 4Gb DDR4 SDRAM od společnosti Samsung Semiconductor, uspořádaná jako 512M × 8, s rychlostí až 2400 Mbps. Při provozním napětí pouhých 1,2 V nabízí zvýšenou šířku pásma a nižší spotřebu energie ve srovnání s DDR3. Kompaktní pouzdro 96-vývodové FBGA zajišťuje stabilní provoz a tepelnou účinnost, což jej činí ideálním řešením pro výkonné počítače, sítě, automobilový průmysl a vestavěné systémy.

Klíčové vlastnosti

DDR4 SDRAM standard podle JEDEC
Podporuje přenosovou rychlost DDR4-2400 (2400 Mbps/ pin)
Provoz při nízkém napětí 1,2 V ±0,06 V
Integrovaný DLL pro přesné časování a synchronizaci
architektura s 8 bankami pro efektivní paralelní přístup
Podpora automatického a samoobslužného obnovování
96vývodové pouzdro FBGA zajišťuje integritu signálu
Široký rozsah teplot (-40 °C až +95 °C) pro průmyslové použití
Kompatibilní s hlavními platformami CPU a řadičů

Použití

Výkonné výpočetní a serverové platformy
Síťové a směrovací zařízení
Průmyslové řídicí a automatizační systémy
Automobilová elektronika a infotainment systémy
Vestavěné základní desky a spotřební elektronika

Technické specifikace

Parametr	Hodnota
Hustota	4 Gb (512M × 8)
Datový přenos	2400 Mb/s
VDD	1,2 V ±0,06 V
Balení	96-Ball FBGA
Rozměr	9 × 8 × 1,2 mm
Provozní teplota	-40 °C ~ +95 °C
Časování	CL=17, tRCD=17, tRP=17
Funkce	Automatické/samostatné obnovení, DLL
Rozhraní	SSTL_12
Architektura	8 bank

Žádost o cenovou nabídku

Pro aktuální informace o skladových zásobách, cenách a dodacích lhůtách pro K4A4G085WE-BCRC uveďte prosím ve svém RFQ požadované množství (Qty), požadovanou dodací dobu a cílovou cenu. Náš tým vám rychle odpoví s nejlepší nabídkou a podporou při kompletaci BOM, dodávce ze skladu a správě zásob.