K4B1G1646I-BYMA | Чип за памет Samsung DDR3 SDRAM | Високопроизводителна памет от промишлен клас

Преглед на продукта

K4B1G1646I-BYMA е 1 Gb DDR3 SDRAM от Samsung Semiconductor, проектирана за приложения с висока лента и ниско енергопотребление. Работи при 1,5 V със скорост на предаване на данни до 1600 Mbps и осигурява отлични производителност и надеждност. Пакетът 78-Ball FBGA гарантира компактна конструкция и стабилни топлинни характеристики, което я прави идеална за вградени системи, мрежови, автомобилни и промишлени приложения, изискващи ефективна работна памет.

Ключови характеристики

• Съответстваща на стандарта JEDEC DDR3 SDRAM
• Скорост на предаване на данни до 1600 Mbps (DDR3-1600)
• напрежение 1,5 V ±0,075 V за намалено енергопотребление
• Вграден DLL за прецизно време и синхронизация
• Поддържа автоматично обновяване, самостоятелно обновяване и режим на понижено енергопотребление
• Компактен пакет 78-Ball FBGA за усъвършенствано качество на сигнала
• Голям работен температурен диапазон (-40°C до +95°C)
• Дълъг жизнен цикъл на продукта, подходящ за индустриални среди

Приложения

• Индустриални системи за управление и вградени основни платки
• Автомобилна електроника и системи за информационни технологии и забавления
• Устройства за мрежова комуникация и рутери
• Битова електроника и дисплейни системи
• Медицински уреди и умни уреди

Технически спецификации

Запитване за оферта

За актуално наличие, цени и информация за доставка на K4B1G1646I-BYMA, моля посочете Количество (Qty), необходимо време за доставка и целева цена в заявката си (RFQ). Екипът ни ще Ви отговори незабавно с най-добра оферта и подкрепа за комплектуване на BOM, спот доставки и управление на складови запаси.