K4A4G165WG-BCWE | Чип за памет Samsung DDR4 4Gb ×16 SDRAM | Високоскоростна, нисковолтова памет

Преглед на продукта

K4A4G165WG-BCWE е 4Gb DDR4 SDRAM от Samsung Semiconductor, организирана като 256M × 16, с предаване на данни до 3200 Mbps на извод. При работно напрежение 1,2 V осигурява отлична енергийна ефективност и прецизност във времевите параметри. Пакетът с 96 калъпа FBGA гарантира компактно разположение, термична стабилност и дългосрочна надеждност — идеален за сървъри, мрежови устройства, промишлена автоматизация и автомобилна електроника.

Ключови характеристики

• Съответстващ на стандарта JEDEC DDR4 SDRAM
• Поддържа скорости на данните до 3200 Mbps (DDR4-3200)
• Нисковолтово функциониране (1,2 V ± 0,06 V) за по-висока енергийна ефективност
• 16-битова шина за данни за по-голяма честотна лента на чип
• Интегриран DLL за прецизна синхронизация по време
• Поддържа автоматично обновяване, самостоятелно обновяване и режими за икономия на енергия
• Широк диапазон на работна температура (-40 °C до +95 °C) за промишлено и автомобилно приложение
• пакет 96-ball FBGA осигурява отлична цялостност на сигнала

Приложения

• Сървъри и системи за съхранение
• Мрежови и маршрутизационни устройства
• Индустриални системи за управление и автоматизация
• Автомобилни информационно-развлекателни системи и електронни блокове за управление
• Вградени платформи и битова електроника

Технически спецификации

Запитване за оферта

За актуално наличие на склад, цени и информация за водещо време за K4A4G165WG-BCWE, моля посочете количеството (Qty), необходимото водещо време и целева цена в заявката си за оферта (RFQ). Екипът ни незабавно ще предложи най-добрата оферта с поддръжка за комплектуване на BOM, спот доставка и управление на наличностите.