K4A4G085WE-BCRC | Чип за памет Samsung DDR4 4Gb SDRAM | Високоскоростна, нисконапрежна памет

Преглед на продукта

K4A4G085WE-BCRC е 4Gb DDR4 SDRAM от Samsung Semiconductor, организирана като 512M × 8, със скорост до 2400 Mbps. Работейки при само 1,2 V, тя осигурява по-висока честотна лента и по-ниско енергопотребление в сравнение с DDR3. Компактният пакет с 96 кълбовидни извода (FBGA) гарантира стабилна работа и добра топлоотделяне, което я прави идеално решение за високопроизводителни компютърни системи, мрежови устройства, автомобилна електроника и вградени системи.

Ключови характеристики

• Съответстващ на стандарта JEDEC DDR4 SDRAM
• Поддържа скорост на данните DDR4-2400 (2400 Mbps/контакт)
• Работи при ниско напрежение 1,2 V ±0,06 V
• Вграден DLL за прецизно време и синхронизация
• архитектура с 8 банка за ефективен паралелен достъп
• Поддържа автоматично и самостоятелно обновяване (auto-refresh и self-refresh)
• пакетът с 96 кълбовидни извода (FBGA) осигурява цялостност на сигнала
• Голям температурен диапазон (-40°C до +95°C) за употреба в индустриални условия
• Съвместим с водещи CPU и контролерни платформи

Приложения

• Платформи за високопроизводителни изчисления и сървъри
• Мрежови и маршрутизационни устройства
• Индустриални системи за управление и автоматизация
• Автомобилна електроника и системи за информационни технологии и забавления
• Вградени основни платки и битова електроника

Технически спецификации

Запитване за оферта

За актуалното количество на склад, цени и информация за доставка на K4A4G085WE-BCRC, моля посочете вашето количество (Qty), необходимото време за доставка и целева цена в заявката за оферта (RFQ). Ще ви отговорим незабавно с най-добра оферта и подкрепа за комплектуване на BOM, спот доставки и управление на наличностите.