K4B1G1646I-BYMA | شريحة ذاكرة سامسونج DDR3 SDRAM | ذاكرة صناعية عالية الأداء

نظرة عامة على المنتج

K4B1G1646I-BYMA هي شريحة ذاكرة DDR3 SDRAM بسعة 1 جيجابت من سامسونج سيميكونداكتور، مصممة للتطبيقات التي تتطلب نطاق ترددي عالٍ واستهلاكًا منخفضًا للطاقة. تعمل عند 1.5 فولت وبمعدل نقل بيانات يصل إلى 1600 ميجابت في الثانية، وتقدم أداءً وموثوقية ممتازين. ويضمن التغليف المدمج FBGA المكون من 78 كرة تصميمًا مضغوطًا وخصائص حرارية مستقرة، مما يجعلها مثالية للأنظمة المضمنة، والشبكات، والتطبيقات الصناعية والسيارات التي تتطلب أداءً فعالًا للذاكرة.

الميزات الرئيسية

• ذاكرة DDR3 SDRAM المتوافقة مع معايير JEDEC
• معدل نقل البيانات يصل إلى 1600 ميجابت في الثانية (DDR3-1600)
• تشغيل عند 1.5 فولت ±0.075 فولت لتقليل استهلاك الطاقة
• DLL مدمج لتحقيق توقيت وتناسق دقيق
• يدعم وضع إعادة التنشيط التلقائي، وإعادة التنشيط الذاتي، ووضع الإيقاف لتوفير الطاقة
• تغليف مدمج FBGA مكوّن من 78 كرة لجودة إشارة متفوقة
• نطاق واسع لدرجة حرارة التشغيل (-40°م إلى +95°م)
• دورة حياة منتج طويلة مناسبة للبيئات الصناعية

التطبيقات

• أنظمة التحكم الصناعية واللوحات الرئيسية المضمنة
• الإلكترونيات السيارات وأنظمة المعلومات والترفيه
• أجهزة الاتصالات الشبكية وأجهزة التوجيه
• الإلكترونيات الاستهلاكية وأنظمة العرض
• الأجهزة الطبية والأجهزة الذكية

المواصفات الفنية

طلب عرض أسعار

للحصول على معلومات فورية حول المخزون والأسعار ومواعيد التسليم لمنتج K4B1G1646I-BYMA، يُرجى تضمين الكمية المطلوبة (Qty) والوقت المطلوب للتسليم وسعر الهدف في طلب الاقتباس (RFQ). سيرد فريقنا بسرعة مع أفضل عرض دعم لإعداد قائمة المواد (BOM)، والتوريد الفوري، وإدارة المخزون.