GDT Pemasangan Permukaan Seri JR2E5-SMD | Tabung Pelepasan Gas SMD Kompak untuk Perlindungan Garis Diferensial dan Antarmuka
Seri JR2E5-SMD adalah tabung pelepasan gas (GDT) dengan 2 kutub yang dipasang permukaan, memiliki rumah keramik dan terminal berlapis perak, dioptimalkan untuk perakitan SMT. Didisain untuk respons cepat (<1ns), isolasi tinggi, dan kapasitansi rendah, seri ini menawarkan perlindungan lonjakan yang tangguh untuk aplikasi dengan keterbatasan ruang.
Tegangan breakdown tipikal meliputi 90V, 150V, 230V, 350V, 470V, dan 600V. Dirating hingga 5kA (8/20μs), seri ini ideal untuk RS485, RS422, CAN bus, port PoE, antarmuka pengukur, sistem alarm, dan masukan suplai daya kompak.
| Nomor Bagian JR | Tegangan Pemantulan DC | Tegangan Pemutus Impuls Maksimum | Hambatan Isolasi Minimum | Kapasitansi Maksimum | Tegangan Busur | Arus Pembuangan Impuls Nominal | |
| JR2E5-90S | 90V±20% | <500V | <650V | 1 GΩ | <1.0pF | ~15V | 5kA |
| JR2E5-150S | 150V±20% | <500V | <650V | 1 GΩ | <1.0pF | ~20V | 5kA |
| JR2E5-200S | 200V±20% | <500V | <650V | 1 GΩ | <1.0pF | ~20V | 5kA |
| JR2E5-230S | 230V±20% | <600V | ＜700V | 1 GΩ | <1.0pF | ~20V | 5kA |
| JR2E5-300S | 300V±20% | ＜700V | ＜800V | 1 GΩ | <1.0pF | ~20V | 5kA |
| JR2E5-350S | 350V±20% | ＜700V | ＜800V | 1 GΩ | <1.0pF | ~20V | 5kA |
| JR2E5-420S | 420V±20% | ＜800V | ＜950V | 1 GΩ | <1.0pF | ~20V | 5kA |
| JR2E5-470S | 470V±20% | ＜900V | ＜1000V | 1 GΩ | <1.0pF | ~20V | 5kA |
| JR2E5-600S | 600V±20% | ＜1100V | ＜1200V | 1 GΩ | <1.0pF | ~20V | 5kA |
| JR2E5-800S | 800V±20% | ＜1200V | <1400V | 1 GΩ | <1.0pF | ~20V | 5kA |
EN